[发明专利]晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910866406.0 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN112490126B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;崔基雄;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3115 | 分类号： | H01L21/3115;H01L21/311;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 李艳霞;唐芳芳 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体管的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：
提供一基板，并在所述基板上形成栅极结构；
在所述基板上形成覆盖所述栅极结构的绝缘层，所述绝缘层的材质为氧化硅；
对所述绝缘层进行惰性气体离子注入并对惰性离子注入后的绝缘层进行湿法蚀刻以去除部分的绝缘层；以及
对所述绝缘层进行干法蚀刻以去除部分的绝缘层；
其中，所述惰性气体离子注入采用氩气离子注入。
2.如权利要求1所述的晶体管的制备方法，其特征在于：所述湿法蚀刻采用氢氟酸和稀硫酸的混合物。
3.如权利要求1所述的晶体管的制备方法，其特征在于：氩气离子注入的具体工艺条件为：氩离子能量小于20keV，注入剂量小于1×1014cm-2。
4.如权利要求1所述的晶体管的制备方法，其特征在于：所述栅极结构局部覆盖该基板；所述栅极结构具有远离所述基板的顶面、以及连接所述顶面和所述基板的侧面；对所述绝缘层进行湿法蚀刻和干法蚀刻的目的是去除该绝缘层除覆盖所述栅极结构的侧面以外的部分。
5.如权利要求1所述的晶体管的制备方法，其特征在于：所述栅极结构包括依次层叠在所述基板上的多晶硅层、阻挡层、金属导电层和遮罩层。
6.一种晶体管，其特征在于：采用如权利要求1-5中任一项所述的晶体管的制备方法制备得到。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
