[发明专利]磁存储器装置在审
| 申请号： | 201910863772.0 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN111211220A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李吉镐;高宽协;宋胤宗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了磁随机存取存储器(MRAM)装置。MRAM装置可包括：磁隧道结(MTJ)，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及导电层，其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括水平部分以及远离水平部分突出并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分。自由层的一侧和水平部分的一侧可形成笔直的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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