[发明专利]磁存储器装置

权利要求书

1.一种磁随机存取存储器装置，包括：

磁隧道结，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及

导电层，其邻近于所述磁隧道结的自由层，其中，所述导电层包括：

水平部分；以及

第一突出部分和第二突出部分，其远离所述水平部分突出，并且在垂直于所述竖直方向的水平方向上彼此间隔开，

其中，所述自由层的一侧和所述水平部分的一侧形成笔直的一侧。

2.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器装置，其中，所述水平部分被构造为当电流在所述水平方向上从所述第一突出部分流至所述第二突出部分时对所述自由层施加自旋轨道扭矩。

3.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器装置，其中，所述水平部分包括与所述第一突出部分和所述第二突出部分不同的材料。

4.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器装置，其中，所述磁隧道结与所述第一突出部分和所述第二突出部分重叠。

5.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器装置，其中，在平面图中，所述第一突出部分的一侧相对于所述水平部分的所述一侧朝着所述第二突出部分凹进。

6.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器装置，还包括在所述水平方向上彼此间隔开并且分别连接至所述第一突出部分和所述第二突出部分的第一导电接触件和第二导电接触件，

其中，所述导电层位于所述磁隧道结与所述第一导电接触件和所述第二导电接触件之间。

7.一种磁随机存取存储器装置，包括：

磁隧道结，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及

导电层，其邻近于所述磁隧道结的自由层，其中，所述导电层包括：

水平部分，其包括面对所述磁隧道结的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及

第一突出部分和第二突出部分，其远离所述水平部分的第二表面突出，并且在垂直于所述竖直方向的水平方向上彼此间隔开，

其中，所述第一突出部分包括面对所述第二突出部分的第一侧和与所述第一突出部分的第一侧相对的第二侧，并且

其中，在平面图中，所述第一突出部分的第二侧相对于所述水平部分的一侧朝着所述第二突出部分凹进。

8.根据权利要求7所述的磁随机存取存储器装置，其中，所述磁隧道结的自由层的一侧和所述导电层的水平部分的所述一侧对齐。

9.根据权利要求8所述的磁随机存取存储器装置，其中，所述第一突出部分的第二侧的一部分与所述磁隧道结的自由层的所述一侧和所述导电层的水平部分的所述一侧对齐。

10.根据权利要求7所述的磁随机存取存储器装置，其中，所述自由层在所述导电层的水平部分与所述钉扎层之间。

11.根据权利要求7所述的磁随机存取存储器装置，其中，所述第二突出部分包括面对所述第一突出部分的第一侧和与所述第二突出部分的所述第一侧相对的第二侧，

其中，所述水平部分的所述一侧包括第一侧，并且所述水平部分还包括与所述水平部分的所述第一侧相对的第二侧，并且

其中，在平面图中，所述第二突出部分的第二侧相对于所述水平部分的第二侧朝着所述第一突出部分凹进。

12.根据权利要求7所述的磁随机存取存储器装置，其中，所述磁隧道结与所述水平部分和所述第一突出部分之间的整个界面重叠。

13.根据权利要求7所述的磁随机存取存储器装置，还包括在所述水平方向上彼此间隔开并且在所述竖直方向上与所述导电层的水平部分间隔开的第一导电接触件和第二导电接触件，

其中，所述第一突出部分将所述第一导电接触件电连接至所述水平部分，并且所述第二突出部分将所述第二导电接触件电连接至所述水平部分。