[发明专利]磁存储器装置

说明书

提供了磁随机存取存储器(MRAM)装置。MRAM装置可包括：磁隧道结(MTJ)，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及导电层，其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括水平部分以及远离水平部分突出并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分。自由层的一侧和水平部分的一侧可形成笔直的一侧。

相关申请的交叉引用

该专利申请要求于2018年9月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0109083的优先权，该申请的公开全文以引用方式并入本文中。

技术领域

本公开整体涉及电子器件领域，并且更具体地说，涉及磁存储器装置。

背景技术

随着对具有提高的速度和/或降低的功耗的电子器件的需求增加，研究了工作速度更快和/或工作电压更低的半导体存储器装置。磁存储器装置作为候选被进行了研究。磁存储器装置可提供技术优势，例如，高速度和/或非易失性，因此磁存储器装置可成为下一代存储器装置。因此，研发大规模生产磁存储器装置的制造工艺和研发具有高集成密度和/或低功耗的磁存储器装置可为有益的。

磁存储器装置包括磁隧道结(MTJ)。MTJ包括两个磁性层和介于该两个磁性层之间的绝缘层。MTJ的电阻随磁性层的磁化方向而变化。例如，当磁性层的磁化方向彼此平行反向时，MTJ的电阻比当它们彼此平行时更高。这种电阻差可用于磁存储器装置的数据存储操作。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了缺陷密度低的磁存储器装置及其制造方法。

本发明构思的一些实施例提供了降低在制造磁存储器装置的过程中的难度的方法和因此制造的磁存储器装置。

根据本发明构思的一些实施例，磁随机存取存储器(MRAM)装置可包括：磁隧道结(MTJ)，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及导电层，其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括水平部分以及远离水平部分突出并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分。自由层的一侧和水平部分的一侧可形成笔直的一侧。

根据本发明构思的一些实施例，磁随机存取存储器(MRAM)装置可包括：磁隧道结(MTJ)，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及导电层，其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括：水平部分，其包括面对MTJ的第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及第一突出部分和第二突出部分，其远离水平部分的第二表面突出，并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开。第一突出部分可包括面对第二突出部分的第一侧和与第一突出部分的第一侧相对的第二侧，并且在平面图中，第一突出部分的第二侧可相对于水平部分的一侧朝着第二突出部分凹进。

根据本发明构思的一些实施例，磁随机存取存储器(MRAM)装置可包括：磁隧道结(MTJ)，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及导电层，其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括：水平部分，其包括面对MTJ的第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及第一突出部分和第二突出部分，其远离水平部分的第二表面突出，并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开。MTJ可与水平部分与第一突出部分之间的界面重叠。

附图说明

将从下面结合附图的描述中更清楚地理解示例实施例。附图代表本文所述的非限制性示例实施例。

图1是示出根据本发明构思的一些实施例的磁存储器装置的平面图；

图2A是沿图1的线I-I’截取的截面图，图2B是沿图1的线II-II’截取的截面图；

图3是根据本发明构思的一些实施例的图1所示的磁存储器装置的一部分的立体图；

图4是示出根据本发明构思的一些实施例的磁存储器装置的平面图；