[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置在审
| 申请号： | 201910851705.7 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110707023A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 白靖宇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种蚀刻方法及蚀刻装置。蚀刻方法包括：提供多个工件与多个夹具。将一个或多个工件置入每个夹具中。将多个夹具依次浸入蚀刻液中进行蚀刻。当每个夹具浸入蚀刻液时调整蚀刻参数，以使每个工件的蚀刻量相等。本申请通过当每个夹具进入蚀刻液时来实时调整蚀刻参数，即每批工件进行蚀刻时实时调整蚀刻参数，以使每个工件的蚀刻量相等，提高工件的质量与稳定性，提高机台的使用效率，减小蚀刻液的更换次数，降低蚀刻的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 夹具 蚀刻液 浸入 实时调整 蚀刻量 相等 机台 蚀刻装置 使用效率 减小 置入 申请 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻方法包括：/n提供多个工件与多个夹具；/n将一个或多个所述工件置入每个所述夹具中；/n将所述多个夹具依次浸入蚀刻液中进行蚀刻；以及/n当每个所述夹具浸入所述蚀刻液时调整蚀刻参数，以使每个所述工件的蚀刻量相等。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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