[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置

说明书

本申请提供了一种蚀刻方法及蚀刻装置。蚀刻方法包括：提供多个工件与多个夹具。将一个或多个工件置入每个夹具中。将多个夹具依次浸入蚀刻液中进行蚀刻。当每个夹具浸入蚀刻液时调整蚀刻参数，以使每个工件的蚀刻量相等。本申请通过当每个夹具进入蚀刻液时来实时调整蚀刻参数，即每批工件进行蚀刻时实时调整蚀刻参数，以使每个工件的蚀刻量相等，提高工件的质量与稳定性，提高机台的使用效率，减小蚀刻液的更换次数，降低蚀刻的成本。

技术领域

本申请属于工件蚀刻技术领域，具体涉及蚀刻方法及蚀刻装置。

背景技术

芯片是电子设备中重要的组件之一，是电子设备的“心脏”。在芯片的制备过程中，需要将原材料晶圆进行多次蚀刻操作。目前晶圆在蚀刻的过程中，通常控制每批晶圆的蚀刻时间相等，因此蚀刻液的浓度会随着时间的增加以及已蚀刻晶圆数量的增加而不断降低，最终导致每批晶圆的蚀刻量均不相等，从而利用该晶圆做出来的芯片的性能不稳定，降低了芯片性能的稳定性。

发明内容

鉴于此，本申请提供了一种蚀刻方法及蚀刻装置，通过当每个所述夹具进入所述蚀刻液时来实时调整蚀刻参数，即每批工件进行蚀刻时实时调整蚀刻参数，以使每个工件的蚀刻量相等，提高工件的质量与稳定性。

本申请第一方面提供了一种蚀刻方法，所述蚀刻方法包括：

提供多个工件与多个夹具；

将一个或多个所述工件置入每个所述夹具中；

将所述多个夹具依次浸入蚀刻液中进行蚀刻；以及

当每个所述夹具浸入所述蚀刻液时调整蚀刻参数，以使每个所述工件的蚀刻量相等。

本申请第一方面提供的蚀刻方法，通过当每个所述夹具进入所述蚀刻液时来实时调整蚀刻参数，即每批工件进行蚀刻时实时调整蚀刻参数，以使每个工件的蚀刻量相等，提高工件的质量与稳定性，提高机台的使用效率，减小蚀刻液的更换次数，降低蚀刻的成本。

其中，“当每个所述夹具浸入所述蚀刻液时调整蚀刻参数”包括：

根据蚀刻参数、已蚀刻工件的参数、以及所述蚀刻量建立第一蚀刻模型；以及

根据所述第一蚀刻模型来调整所述蚀刻参数。

其中，所述蚀刻参数包括蚀刻时间、所述蚀刻液的浓度、以及所述蚀刻液的温度中的任意一种或多种的组合。

其中，所述已蚀刻工件的参数包括所述已蚀刻工件的数量、所述已蚀刻工件的尺寸、以及所述已蚀刻工件的材质中的任意一种或多种的组合。

其中，“当每个所述夹具浸入所述蚀刻液时调整蚀刻参数”包括：

根据所述蚀刻时间、所述已蚀刻工件的数量、以及所述蚀刻量建立所述第一蚀刻模型；以及

根据所述第一蚀刻模型来调整所述蚀刻参数。

其中，“根据所述第一蚀刻模型来调整所述蚀刻参数”包括：

随着所述已蚀刻工件的数量的增加，增加所述蚀刻时间，以使每个所述工件的蚀刻量相等。

其中，“当每个所述夹具浸入所述蚀刻液时调整蚀刻参数”还包括：

根据所述已蚀刻工件的参数与所述蚀刻液的浓度建立蚀刻液模型；

根据所述蚀刻时间、所述蚀刻液模型、以及所述蚀刻量建立所述第二蚀刻模型；以及

根据所述第二蚀刻模型来调整所述蚀刻参数。

其中，“当每个所述夹具浸入所述蚀刻液时调整蚀刻参数”还包括：

当所述蚀刻液的浓度小于或等于预设蚀刻液的浓度时；或者当所述已蚀刻工件的数量大于或等于预设工件数量时，更换所述蚀刻液。