[发明专利]一种显示面板及其制作方法在审
| 申请号： | 201910846448.8 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110707011A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 梅雪茹 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示面板及其制作方法，该方法包括：在玻璃基板上制作栅极；在所述栅极上制作栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；其中沟道区域与所述栅极的位置对应。本发明的显示面板及其制作方法，能够提高薄膜晶体管的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 接触层 沟道区域 制作 显示面板 栅绝缘层 金属 薄膜晶体管 玻璃基板 导电性能 激光处理 沟道 漏极 源极 半导体 转化 | ||
【主权项】：
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：/n在玻璃基板上制作栅极；/n在所述栅极上制作栅绝缘层；/n在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；/n对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；其中所述沟道区域与所述栅极的位置对应。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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