[发明专利]一种显示面板及其制作方法在审
| 申请号: | 201910846448.8 | 申请日: | 2019-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN110707011A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
| 发明(设计)人: | 梅雪茹 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 接触层 沟道区域 制作 显示面板 栅绝缘层 金属 薄膜晶体管 玻璃基板 导电性能 激光处理 沟道 漏极 源极 半导体 转化 | ||
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上制作栅极;
在所述栅极上制作栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层;
对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理,以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层,分别得到沟道、源极以及漏极;其中所述沟道区域与所述栅极的位置对应。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理,以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层,分别得到沟道、源极以及漏极的步骤包括:
对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理,以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层,得到沟道;
使位于所述沟道两侧的金属1T’相接触层形成源极以及漏极。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理,以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层,分别得到沟道、源极以及漏极的步骤包括:
对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理,以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层,得到沟道;
在所述金属1T’相接触层上制作第二金属层,对所述第二金属层进行图案化处理,以在位于所述沟道两侧中的一侧的金属1T’相接触层上形成源极,在位于所述沟道两侧中的另一侧的金属1T’相接触层上形成漏极。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述沟道、源极以及漏极上形成钝化层,所述钝化层上设置有过孔;
在所述钝化层上以及所述过孔内制作像素电极,其中所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述栅绝缘层上制作金属1T’相接触层的步骤包括:
采用溶液法和气相合成法中的至少一种在所述栅绝缘层上制备金属1T’相接触层。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述金属1T’相接触层的层数根据薄膜晶体管的预设导电性能设置。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述接触层的材料为二硫化钼。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述栅绝缘层的材料包括SiOx、SiNx、SiNO、Al2O3、AlN、BN以及HfO2中的至少一种。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
玻璃基板;
栅极,设于所述玻璃基板上;
栅绝缘层,设于所述栅极上;
沟道,设于所述栅绝缘层上,所述沟道与所述栅极的位置对应,所述沟道的材料为半导体2H相接触层;
至少一金属1T’相接触层,设于所述栅绝缘层上,且位于所述沟道的两侧;
源极和漏极,分别位于所述沟道的两侧中的一侧,所述源极的材料和所述漏极的材料相同,所述源极的材料与所述沟道的材料不同。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述源极的材料为金属1T’相二硫化钼或者金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





