[发明专利]一种显示面板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910846448.8 申请日: 2019-09-09
公开(公告)号: CN110707011A 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 梅雪茹 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 接触层 沟道区域 制作 显示面板 栅绝缘层 金属 薄膜晶体管 玻璃基板 导电性能 激光处理 沟道 漏极 源极 半导体 转化
【权利要求书】:

1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:

在玻璃基板上制作栅极;

在所述栅极上制作栅绝缘层;

在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层;

对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理,以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层,分别得到沟道、源极以及漏极;其中所述沟道区域与所述栅极的位置对应。

2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理,以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层,分别得到沟道、源极以及漏极的步骤包括:

对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理,以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层,得到沟道;

使位于所述沟道两侧的金属1T’相接触层形成源极以及漏极。

3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理,以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层,分别得到沟道、源极以及漏极的步骤包括:

对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理,以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层,得到沟道;

在所述金属1T’相接触层上制作第二金属层,对所述第二金属层进行图案化处理,以在位于所述沟道两侧中的一侧的金属1T’相接触层上形成源极,在位于所述沟道两侧中的另一侧的金属1T’相接触层上形成漏极。

4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:

在所述沟道、源极以及漏极上形成钝化层,所述钝化层上设置有过孔;

在所述钝化层上以及所述过孔内制作像素电极,其中所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。

5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述栅绝缘层上制作金属1T’相接触层的步骤包括:

采用溶液法和气相合成法中的至少一种在所述栅绝缘层上制备金属1T’相接触层。

6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述金属1T’相接触层的层数根据薄膜晶体管的预设导电性能设置。

7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述接触层的材料为二硫化钼。

8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述栅绝缘层的材料包括SiOx、SiNx、SiNO、Al2O3、AlN、BN以及HfO2中的至少一种。

9.一种显示面板,其特征在于,包括:

玻璃基板;

栅极,设于所述玻璃基板上;

栅绝缘层,设于所述栅极上;

沟道,设于所述栅绝缘层上,所述沟道与所述栅极的位置对应,所述沟道的材料为半导体2H相接触层;

至少一金属1T’相接触层,设于所述栅绝缘层上,且位于所述沟道的两侧;

源极和漏极,分别位于所述沟道的两侧中的一侧,所述源极的材料和所述漏极的材料相同,所述源极的材料与所述沟道的材料不同。

10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述源极的材料为金属1T’相二硫化钼或者金属。

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