[发明专利]一种显示面板及其制作方法

说明书

本发明提供一种显示面板及其制作方法，该方法包括：在玻璃基板上制作栅极；在所述栅极上制作栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；其中沟道区域与所述栅极的位置对应。本发明的显示面板及其制作方法，能够提高薄膜晶体管的导电性能。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。

【背景技术】

随着柔性显示、micro-LED、OLED、QLED等新型显示技术的发展，对于驱动元件的性能要求越来越高，如高迁移率、快速驱动以及低损耗等。薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)作为各类显示技术中重要的驱动元件，其性能直接关系到显示技术的发展。

现有的薄膜晶体管的栅极和源极漏极之间的接触层的材料通常为普通的二硫化钼，二硫化钼作为经典的层状过渡金属硫化物，由于其突出的物理、化学、电学及光学性能被广泛应用于包括储能在内的各个领域，表现出了优异的性能。然而，研究发现，TFT中的MoS₂与传统金属电极(如铝、铜钛等)之间具有较高的接触电阻，不利于载流子的传导，降低了TFT的导电性能。

因此，有必要提供一种显示面板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法，能够提高薄膜晶体管的导电性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板的制作方法，包括：

在玻璃基板上制作栅极；

在所述栅极上制作栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；

对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；其中所述沟道区域与所述栅极的位置对应。

本发明还提供一种显示面板，其包括：

玻璃基板；

栅极，设于所述玻璃基板上；

栅绝缘层，设于所述栅极上；

沟道，设于所述栅绝缘层上，所述沟道与所述栅极的位置对应，所述沟道的材料为半导体2H相接触层；

至少一金属1T’相接触层，设于所述栅绝缘层上，且位于所述沟道的两侧；

源极和漏极，分别位于所述沟道的两侧中的一侧，所述源极的材料和所述漏极的材料相同，所述源极的材料与所述沟道的材料不同。

本发明的显示面板及其制作方法，通过在玻璃基板上制作栅极；在所述栅极上制作栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作至少一层金属1T’相接触层；对沟道区域的金属1T’相接触层进行激光处理，以使所述沟道区域的金属1T’相接触层转化为半导体2H相接触层，分别得到沟道、源极以及漏极；由于金属1T’相接触层的导电性能较好，因此将其作为与金属电极之间的过渡层，可以降低接触电阻，从而提高薄膜晶体管的导电性能。

【附图说明】

图1为本发明实施例一的显示面板的制作方法的第一步的结构示意图。

图2为本发明实施例一的显示面板的制作方法的第二步的结构示意图。

图3为本发明实施例一的显示面板的制作方法的第三步的结构示意图。

图4为本发明实施例一的显示面板的制作方法的第四步的结构示意图。