[发明专利]低功耗高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET器件有效
| 申请号： | 201910844900.7 | 申请日： | 2019-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110518065B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李轩;徐晓杰;黄伟;陈致宇;邓小川;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低功耗高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、第一P‑body区、第一P+接触区、第一N+接触区、第二P‑body区、第二P+接触区、第二N+接触区、氧化层、槽栅、金属电极、漏极；本发明提出的SiC MOSFET器件通过4沟道并联显著减小导通电阻，通过第二P‑body对栅槽的包裹及保护，既增强了器件的氧化层可靠性，又屏蔽了部分栅漏电容使得器件开关损耗减小；当器件发生短路时，第一P‑body区与第二P‑body区形成的JFET区夹断，降低了器件的饱和电流，提高了其短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 可靠性 沟槽 碳化硅 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
1.一种低功耗高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET器件，其特征在于包括：N型衬底(11)、位于N型衬底(11)上方的N型外延层(10)、位于N型外延层(10)上方的第二P-body区(9)、位于第二P-body区(9)内部的第二P+接触区(7)和第二N+接触区(8)、位于第二P+接触区(7)和第二N+接触区(8)上方的源电极(1)、位于第二N+接触区(8)上方的栅介质(6)和栅介质(6)内部的槽栅(2)、位于栅介质(6)之间的第一P-body区(5)、位于第一P-body区(5)上方的两个第一N+接触区(4)、两个第一N+接触区(4)之间的第一P+接触区(3)、位于第一P+接触区(3)和第一N+接触区(4)上方的源电极(1)、位于器件下方且与N型衬底(11)形成欧姆接触的漏极(12)；源电极(1)与第一P+接触区(3)、第一N+接触区(4)、第二P+接触区(7)、第二N+接触区(8)欧姆接触。/n
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