[发明专利]一种基于静态随机存储器的乘法电路结构有效
申请号: | 201910842714.X | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN110633069B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 蔺智挺;黎力;吴秀龙;卢文娟;彭春雨;黎轩;陈军宁 | 申请(专利权)人: | 安徽大学 |
主分类号: | G06F7/523 | 分类号: | G06F7/523;G11C11/418 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;陈亮 |
地址: | 230601 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于静态随机存储器的乘法电路结构,包括N行N列的静态随机存储器SRAM阵列,SRAM阵列与列译码模块、字线驱动和脉冲调制模块、行译码模块相连,待处理的被乘数数据以二进制形式存入在SRAM阵列的存储单元中;待处理的乘数数据以二进制形式串行输入,和经过字线驱动和脉冲调制模块脉冲宽度调制后的WLP信号进行与运算,根据与运算结果开启字线WL,位线BLB根据开启的字线WL和所述存储单元内的数据进行放电,位线BLB电压的变化量即可表示乘法结果。上述电路结构可以有效提高运算速度,且由于不再需要在运算单元和存储器中交换数据,能够大幅减少在传输过程消耗的能量。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 静态 随机 存储器 乘法 电路 结构 | ||
【主权项】:
1.一种基于静态随机存储器的乘法电路结构,其特征在于,所述电路结构包括N行N列的静态随机存储器SRAM阵列,在所述SRAM阵列的外围分别设置列译码模块、控制模块、字线驱动和脉冲调制模块、行译码模块,其中:/n所述SRAM阵列与所述列译码模块、字线驱动和脉冲调制模块、行译码模块相连,在乘法运算过程中,通过所述行译码模块和列译码模块按需求开启字线,将待处理的被乘数数据以二进制形式存入在所述SRAM阵列的存储单元中;/n所述控制模块分别与所述列译码模块、字线驱动和脉冲调制模块、行译码模块相连,用来提供时序,以控制整体电路功能的正常进行;/n所述字线驱动和脉冲调制模块与所述行译码模块相连,用来产生所需的不同时间脉冲,在乘法运算阶段,经过所述字线驱动和脉冲调制模块脉冲宽度调制后的WLP信号和从所述行译码模块进来的乘数编码进行与运算后,根据与运算结果来驱动字线WL的开启;/n所述字线WL的驱动电压由与运算结果产生,位线BLB根据开启的字线WL和所述存储单元内的数据进行放电,当放电完成后,位线BLB电压的变化量即可表示乘法结果。/n
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