[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910842702.7 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110473911A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 史田超;程海英;钮应喜;乔庆楠;袁松;史文华;张晓洪;刘锦锦;钟敏;章学磊;左万胜 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱圣荣<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种SiC MOSFET器件,包括：SiC衬底、SiC衬底下方漏极、SiC N‑外延片、N‑外延片上方的两个P阱结构、设置于P阱上的相互紧邻的N+接触和P+接触、两个P阱之间的区域为JEFT区、JFET上方为与碳化硅衬底相同大小的P‑掺杂的外延层和对P‑外延层进行反型的N型区域、设置于和区域上方的SiO2氧化层、SiO2氧化层上方的栅极、N+区域和P+区域上方的源级。该SiC MOSFET器件结构在以往结构的基础上能够提升器件正向导通电流的能力，并能提升器件栅氧的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 提升器件 外延层 外延片 衬底 正向导通电流 掺杂的 碳化硅 反型 漏极 源级 栅氧 | ||
【主权项】：
1.一种SiC MOSFET器件,其特征在于，包括：SiC衬底、SiC衬底下方的漏极、SiC衬底上方的N-外延层、N-外延层上方的两个P阱结构、设置于P阱结构上的相互紧邻的N+接触和P+接触、两个P阱结构之间的JEFT区、JFET上方对P-外延层进行反型的N型区域、设置于N型区域上方的栅介质层、栅介质层上方的栅极、N+接触区和P+接触区上方的源级。/n
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