[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制作方法

权利要求书

1.一种SiC MOSFET器件,其特征在于，包括：SiC衬底、SiC衬底下方的漏极、SiC衬底上方的N^-外延层、N^-外延层上方的两个P阱结构、设置于P阱结构上的相互紧邻的N⁺接触和P⁺接触、两个P阱结构之间的JEFT区、JFET上方对P^-外延层进行反型的N型区域、设置于N型区域上方的栅介质层、栅介质层上方的栅极、N⁺接触区和P⁺接触区上方的源级。

2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET器件，其特征在于：所述P^-外延层部分反型构成N型区域，所述N型区域和P^-外延层间隔设置，所述栅介质层位于N型区域和P^-外延层的上方。

3.根据权利要求1或2所述的SiC MOSFET器件，其特征在于：所述N型区域由3-4次N离子注入P^-外延层反型形成，所述N型区域的厚度为0.1μm～0.3μm，掺杂浓度为5.0×10¹⁶cm^-3～5.0×10¹⁷cm^-3。

4.根据权利要求3所述的SiC MOSFET器件，其特征在于：所述栅介质层为SiO₂氧化层，所述SiO₂氧化层的厚度为50-80nm，所述N^-外延层掺杂浓度为1.0×10¹⁵cm^-3～5.0×10¹⁶cm^-3,厚度为5μm～30μm；所述P^-外延层掺杂浓度为1.0×10¹⁵cm^-3～5.0×10¹⁷cm^-3，厚度为0.1μm～0.3μm，所述P⁺接触区厚度为0.1～0.3μm，掺杂浓度为1.0×10¹⁹cm^-3～5.0×10²⁰cm^-3，所述N⁺接触区厚度为0.1～0.3μm，掺杂浓度为1.0×10¹⁹cm^-3～5.0×10²⁰cm^-3，所述P阱结构的掺杂的浓度为1.0×10¹⁷cm^-3～5.0×10¹⁹cm^-3，厚度为0.3μm～1μm；所述栅极厚度为0.2～1μm，掺杂浓度为1.0×10¹⁸cm^-3～2.0×10²⁰cm^-3。

5.一种如权利要求1、2、3或4中所述SiC MOSFET器件的制作方法，其特征在于：

步骤1、在SiC衬底上制作N^-外延层；

步骤2、在N^-外延层上进行离子注入形成两个P阱结构，两个P阱结构之间构成JEFT区；

步骤3、在P阱结构上方形成二次外延层P^-外延层；

步骤4、对P阱结构上方的P^-外延层进行离子注入形成P⁺接触区和N⁺接触区；

步骤5、对JEFT区上方的P^-外延层进行N型离子注入形成N型区域；

步骤6、高温退火；

步骤7、在P^-外延层上制作SiO₂氧化层；

步骤8、在SiO₂氧化层上制作栅极；

步骤9、在SiC衬底背面制作漏极；

步骤10、在P⁺接触区和N⁺接触区上制作源极。