[发明专利]应用于台阶结构的掩模版及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201910838289.7 申请日: 2019-09-05
公开(公告)号: CN110597010A 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 陈志刚 申请(专利权)人: 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00
代理公司: 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 曹廷廷
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种应用于台阶结构的掩模版及其形成方法。基于台阶结构中具有不同高度的台阶平面,将掩模版中相对应的图案层分别设置在不同的高度位置上,从而在利用该掩模版对具有台阶结构的半导体衬底执行光刻工艺时,即能够使各个台阶平面均对应在最佳的成像平面内,确保各个台阶平面均具有较好的光刻精度,有利于增加台阶结构的光刻工艺窗口。可见,利用本发明提供的掩模版,能够实现较小的工艺线宽在不同台阶平面下的一次成像的可能。
搜索关键词: 台阶结构 台阶平面 掩模版 光刻工艺窗口 成像平面 高度位置 光刻工艺 一次成像 工艺线 图案层 衬底 光刻 半导体 应用
【主权项】:
1.一种应用于台阶结构的掩模版,其特征在于,包括基体以及形成在所述基体上的至少两层图案层,所述至少两层图案层分别位于不同的高度位置并且所述至少两层图案层的图案在一平面上的投影无重叠,所述平面垂直于高度方向,以及所述至少两层图案层中,各个图案层分别用于对所述台阶结构中的各个台阶平面进行掩模,并且各个图案层所对应的聚焦平面与各个台阶平面一一对应。/n
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