[发明专利]应用于台阶结构的掩模版及其形成方法

权利要求书

1.一种应用于台阶结构的掩模版，其特征在于，包括基体以及形成在所述基体上的至少两层图案层，所述至少两层图案层分别位于不同的高度位置并且所述至少两层图案层的图案在一平面上的投影无重叠，所述平面垂直于高度方向，以及所述至少两层图案层中，各个图案层分别用于对所述台阶结构中的各个台阶平面进行掩模，并且各个图案层所对应的聚焦平面与各个台阶平面一一对应。

2.如权利要求1所述的应用于台阶结构的掩模版，其特征在于，所述至少两层图案层中，各个图案层中的图形尺寸均大于光刻工艺的最小解析能力的特征尺寸。

3.如权利要求1所述的应用于台阶结构的掩模版，其特征在于，所述至少两层图案层中，相邻的图案层之间还设置有间隔层。

4.如权利要求3所述的应用于台阶结构的掩模版，其特征在于，所述间隔层的材料包括氧化硅。

5.如权利要求1所述的应用于台阶结构的掩模版，其特征在于，所述至少两层图案层中相邻的图案层之间的高度差与所述台阶结构中相邻的台阶平面的高度差以预定比例设置。

6.如权利要求1所述的应用于台阶结构的掩模版，其特征在于，所述至少两层图案层中，部分图案层形成在所述基体内，另一部分图案层形成在所述基体的上方。

7.如权利要求6所述的应用于台阶结构的掩模版，其特征在于，所述基体具有第一表面和第二表面，所述部分图案层从所述第一表面嵌入至所述基体内，并且所述部分图案层的顶表面不高于所述第一表面；

以及，在所述基体的第一表面上还形成有间隔层，所述间隔层覆盖所述基体的第一表面和所述部分图案层的表面，所述另一部分图案层形成在所述间隔层上。

8.如权利要求1所述的应用于台阶结构的掩模版，其特征在于，所述至少两层图案层均形成在所述基体内；或者，所述至少两层图案层均形成在所述基体的上方。

9.一种形成如权利要求1所述的掩模版的方法，包括：

提供一基体，并在所述基体上形成图案层；

在所述基体上至少循环一次间隔层和图案层的形成过程，以形成至少两层图案层，其中所述间隔层覆盖其下方的图案层，并用于分隔相邻的图案层。

10.如权利要求9所述的形成掩模版的方法，其特征在于，所述至少两层图案层中，至少部分图案层形成在所述基体内；其中，位于所述基体内的图案层的形成方法包括：

在所述基体中形成凹槽，所述凹槽的开口暴露于基体的表面；以及，

在所述凹槽中填充阻挡材料，以形成嵌入至所述基体内的图案层。

11.如权利要求9所述的形成掩模版的方法，其特征在于，所述至少两层图案层中，至少部分图案层形成在所述基体的上方；其中，位于所述基体上方的图案层的形成方法包括：

在所述基体的上方形成阻挡材料层；以及，

图形化所述阻挡材料层，以形成位于所述基体上方的图案层。

12.一种对具有台阶结构的半导体衬底执行光刻工艺的方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有至少一台阶结构，并利用如权利要求1～8任一项所述的掩模版对所述半导体衬底执行曝光工艺，其中，所述掩模版的至少两层图案层中，各个图案层分别用于对所述台阶结构中的各个台阶平面进行掩模，并且各个图案层所对应的聚焦平面与各个台阶平面一一对应。

13.如权利要求12所述的对具有台阶结构的半导体衬底执行光刻工艺的方法，其特征在于，所述掩模版中的基体具有第一表面和第二表面，所述至少两层图案层中的第一图案层和第二图案层在所述基体的第一表面上依次堆叠设置；

以及，所述掩模版以所述第一表面面向所述半导体衬底的方向放置在光刻设备中，其中所述第一图案层用于对所述台阶结构中位于较高位置的第二台阶平面进行掩模，所述第二图案层用于对所述台阶结构中位于较低位置的第一台阶平面进行掩模。