[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201910837996.4 申请日: 2019-09-05
公开(公告)号: CN110890881B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 江口佳佑;井上贵公;米山玲;鱼田紫织;村上晴彦 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H03K17/16 分类号: H03K17/16;H03K17/567;H03K17/687;H01L25/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供可对施加于半导体元件两端的电压的时间变化率(dv/dt)进行调整,进行导通时的控制性和导通损耗的调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备:第一开关区域,其具有第一栅极电极,沟道电流与通过输入至第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制;第二开关区域,其具有第二栅极电极,沟道电流与通过输入至第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制,与第一开关区域并联连接;以及控制部,其向第一、第二栅极电极输出用于使第一、第二开关区域导通的控制信号,控制部在输出第一、第二控制信号而经过了第一规定期间后使第二控制信号的输出停止,在使第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后输出所述第二控制信号。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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