[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

第一开关区域，其具有第一栅极电极，沟道电流与通过输入至所述第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制；

第二开关区域，其具有第二栅极电极，沟道电流与通过输入至所述第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制，该第二开关区域与所述第一开关区域并联连接；以及

控制部，其向所述第一栅极电极输出用于使所述第一开关区域导通的第一控制信号，向所述第二栅极电极输出用于使所述第二开关区域导通的第二控制信号，

所述控制部在输出所述第一控制信号和所述第二控制信号而经过了第一规定期间后，使所述第二控制信号的输出停止，

在使所述第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后，输出所述第二控制信号，

所述第一开关区域或所述第二开关区域与高电位侧电极及低电位侧电极电连接，

所述半导体装置还具有电压检测电路，该电压检测电路对所述高电位侧电极和所述低电位侧电极之间的电压进行检测，

所述控制部基于由所述电压检测电路检测出的所述高电位侧电极和所述低电位侧电极之间的电压，对所述第二规定期间进行控制。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述控制部在所述第二规定期间中的由所述电压检测电路检测出的所述高电位侧电极和所述低电位侧电极之间的电压低于规定的阈值的情况下输出所述第二控制信号，该规定的阈值比在所述第一规定期间的开始时由所述电压检测电路检测出的所述高电位侧电极和所述低电位侧电极之间的电压小。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述阈值小于在所述第一规定期间的开始时由所述电压检测电路检测出的所述高电位侧电极和所述低电位侧电极之间的电压的10％。

4.一种半导体装置，其具备：

第一开关区域，其具有第一栅极电极，沟道电流与通过输入至所述第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制；

第二开关区域，其具有第二栅极电极，沟道电流与通过输入至所述第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制，该第二开关区域与所述第一开关区域并联连接；以及

控制部，其向所述第一栅极电极输出用于使所述第一开关区域导通的第一控制信号，向所述第二栅极电极输出用于使所述第二开关区域导通的第二控制信号，

所述控制部在输出所述第一控制信号和所述第二控制信号而经过了第一规定期间后，使所述第二控制信号的输出停止，

在使所述第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后，输出所述第二控制信号，

供给至所述第二栅极电极的电荷量比供给至所述第一栅极电极的电荷量多。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第二栅极电极的静电电容比所述第一栅极电极的静电电容大。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述第二栅极电极的数量比所述第一栅极电极的数量多。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

经过了所述第二规定期间的时刻的所述第二栅极电极的电压比经过了第一规定期间的时刻的所述第二栅极电极的电压低。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一开关区域和所述第二开关区域形成于一个半导体基板。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一开关区域和所述第二开关区域分别形成于不同的半导体基板。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一开关区域及所述第二开关区域由带隙比Si大的宽带隙半导体形成。