[发明专利]一种探测器阵列芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910837900.4 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110690235B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 周幸叶;吕元杰;王元刚;谭鑫;韩婷婷;李佳;梁士雄;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本申请适用于半导体芯片技术领域，提供了一种探测器阵列芯片及其制备方法，其中，所述探测器阵列芯片包括：第一外延层，所述第一外延层包括由两个以上的相互隔离的有源区组成的有源区阵列；第二外延层，形成于所述第一外延层的上表面；第三外延层，形成于所述第二外延层上；上电极层，形成于所述第三外延层上；下电极层，所述下电极层包括与所述有源区的数量一致的下电极，每个所述下电极形成于一个与其对应的有源区的下表面。该探测器阵列芯片采用正面入射和背面封装，具有较高的量子效率，并且封装简单，表面面积的利用率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测器 阵列 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种探测器阵列芯片，其特征在于，所述探测器阵列芯片包括：/n第一外延层，所述第一外延层包括由两个以上的相互隔离的有源区组成的有源区阵列；/n第二外延层，形成于所述第一外延层的上表面；/n第三外延层，形成于所述第二外延层上；/n上电极层，形成于所述第三外延层上；/n下电极层，所述下电极层包括与所述有源区的数量一致的下电极，每个所述下电极形成于一个与其对应的有源区的下表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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