[发明专利]一种利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法在审
| 申请号： | 201910809645.2 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110371984A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 麦毅;侯高蕾;吴复忠;戴新义;李水娥;谷肄静;陈敬波 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人： | 韩炜 |
| 地址： | 550025 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法。按下述步骤进行：a）将硅块制成50～1000目的硅粉；再对硅粉预处理：分别用H2SO4与H2O2的混合溶液、HF溶液、无水乙醇溶液以及纯水各搅拌清洗，之后放入真空干燥箱中烘干；b）将预处理后的硅粉用腐蚀液进行高温腐蚀，再用纯水进行清洗、过滤后烘干，得到多孔硅；c）多孔硅的氧化：将多孔硅通过水溶液浸注或高温退火方式进行氧化，在多孔硅表面构筑含氧多孔层，得到含氧多孔硅；d）对含氧多孔硅进行酸洗，去除表面氧化层，再进行清洗、过滤后烘干，得到去除B的硅粉。本发明制备路径新颖，工艺简单，易操作，成本较低，能够有效的降低冶金级硅中的B浓度，并能在工艺上使B的浓度很容易的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔硅 含氧 硅粉 多孔层 烘干 预处理 清洗 吸除 去除 过滤 无水乙醇溶液 表面氧化层 多孔硅表面 真空干燥箱 高温腐蚀 高温退火 混合溶液 冶金级硅 腐蚀液 按下 放入 硅块 浸注 酸洗 制备 构筑 | ||
【主权项】：
1.一种利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，按下述步骤进行：a）硅块的破碎：将硅块制成50～1000目的硅粉；再对硅粉预处理：分别用H2SO4与H2O2的混合溶液、HF溶液、无水乙醇溶液以及纯水各搅拌清洗，之后放入真空干燥箱中烘干；b）多孔硅的制备：将预处理后的硅粉用腐蚀液进行高温腐蚀，再用纯水进行清洗、过滤后烘干，得到多孔硅；所述的腐蚀液是由硝酸盐、氢氟酸、纯水组成的混合溶液；c）多孔硅的氧化：将多孔硅通过水溶液浸注或高温退火方式进行氧化，在多孔硅表面构筑含氧多孔层，得到含氧多孔硅；d）富B多孔层的去除：对含氧多孔硅进行酸洗，去除表面氧化层，再进行清洗、过滤后烘干，得到去除B的硅粉。
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