[发明专利]一种利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法

权利要求书

1.一种利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，按下述步骤进行：

a）硅块的破碎：将硅块制成50～1000目的硅粉；

再对硅粉预处理：分别用H₂SO₄与H₂O₂的混合溶液、HF溶液、无水乙醇溶液以及纯水各搅拌清洗，之后放入真空干燥箱中烘干；

b）多孔硅的制备：将预处理后的硅粉用腐蚀液进行高温腐蚀，再用纯水进行清洗、过滤后烘干，得到多孔硅；所述的腐蚀液是由硝酸盐、氢氟酸、纯水组成的混合溶液；

c）多孔硅的氧化：将多孔硅通过水溶液浸注或高温退火方式进行氧化，在多孔硅表面构筑含氧多孔层，得到含氧多孔硅；

d）富B多孔层的去除：对含氧多孔硅进行酸洗，去除表面氧化层，再进行清洗、过滤后烘干，得到去除B的硅粉。

2.根据权利要求1所述的利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，所述的步骤a）具体为，将硅块制成100～500目的硅粉。

3.根据权利要求1所述的利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，步骤b）中，所述的高温腐蚀采用水热腐蚀或水浴加热；所述的高温腐蚀的温度为50℃～300℃，腐蚀时间为10～1200 min。

4.根据权利要求3所述的利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，步骤b）中，所述的高温腐蚀的温度为60℃～220℃，腐蚀时间为45～420 min。

5.根据权利要求1所述的利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，步骤b）中，所述的腐蚀液中，硝酸盐浓度为：0.005～1.5mol/L，氢氟酸浓度为：0.5～15 mol/L。

6.根据权利要求5所述的利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，步骤b）中，所述的腐蚀液中，硝酸盐浓度为：0.01～1mol/L，氢氟酸浓度为：1～10mol/L。

7.根据权利要求1所述的利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，步骤c）中，所述的水溶液为：H₂O₂、HClO₄或HNO₄强氧化性溶液，强氧化性溶液的浓度为：5～15 mol/L。

8.根据权利要求1所述的利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，步骤c）中，所述的高温退火的设备为：管式炉；退火温度为：100～2000℃，退火时间为：60～1500min。

9.根据权利要求8所述的利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，步骤c）中，所述的退火温度为：300～1500℃，退火时间为：90～900min。

10.根据权利要求1所述的利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法，其特征在于，步骤d）中，所述的酸洗所用溶液为HF溶液，溶液浓度为：0.5～10mol/L，酸洗时间为：10～300min。