[发明专利]一种化学机械研磨机台缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201910809015.5 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110514461B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 宋箭叶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01M99/00 | 分类号： | G01M99/00;G01N21/88;B24B37/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供的一种化学机械研磨机台缺陷检测方法，通过利用待检测的化学机械研磨机台研磨将具有第一厚度的氧化硅膜层研磨成具有第二厚度的氧化硅膜层，这样待检测的化学机械研磨机台的缺陷会导致所述具有第二厚度的氧化硅膜层上具有缺陷，可以直接检测具有第二厚度的氧化硅膜层上的缺陷，避免了对待检测的化学机械研磨机台进行检测的复杂的步骤。进一步的，在所述具有第二厚度的氧化硅膜层上形成第二膜层，由于所述第二膜层的透明度小于所述具有第二厚度的氧化硅膜层，在去除所述第二膜层过程中，所述第二膜层的颗粒会残留在所述缺陷内，使所述缺陷的边界更加明显，这样在对缺陷检测时，可以使缺陷更加容易的被检测到，可以大大的降低漏检的可能，提高了检测的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 机台 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：在半导体衬底上沉积具有第一厚度的氧化硅膜层；/n步骤二：利用待检测的化学机械研磨机台研磨所述第一厚度的氧化硅膜层，得到具有第二厚度的氧化硅膜层；/n步骤三：在所述具有第二厚度的氧化硅膜层上形成第二膜层，所述第二膜层的透明度小于所述具有第二厚度的氧化硅膜层；/n步骤四：去除所述第二膜层，形成一被检测样品；/n步骤五：对所述被检测样品进行缺陷检测，并记录缺陷值；/n步骤六：判断所述缺陷值是否在预定缺陷值的范围内，若是，则判定所述化学机械研磨机台正常，若否，则判定所述化学机械研磨机台存在缺陷。/n
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