[发明专利]一种化学机械研磨机台缺陷检测方法

说明书

本申请提供的一种化学机械研磨机台缺陷检测方法，通过利用待检测的化学机械研磨机台研磨将具有第一厚度的氧化硅膜层研磨成具有第二厚度的氧化硅膜层，这样待检测的化学机械研磨机台的缺陷会导致所述具有第二厚度的氧化硅膜层上具有缺陷，可以直接检测具有第二厚度的氧化硅膜层上的缺陷，避免了对待检测的化学机械研磨机台进行检测的复杂的步骤。进一步的，在所述具有第二厚度的氧化硅膜层上形成第二膜层，由于所述第二膜层的透明度小于所述具有第二厚度的氧化硅膜层，在去除所述第二膜层过程中，所述第二膜层的颗粒会残留在所述缺陷内，使所述缺陷的边界更加明显，这样在对缺陷检测时，可以使缺陷更加容易的被检测到，可以大大的降低漏检的可能，提高了检测的准确度。

技术领域

本申请涉及半导体制备领域，具体涉及一种化学机械研磨机台缺陷检测方法。

背景技术

在半导体制造技术中，浅沟槽隔离(STI:Shallow Trench Isolation)是将晶圆芯片中各个相邻器件间进行隔断以及防止漏电的功能，通常通过在器件之间形成沟槽然后在沟槽中填充氧化硅，最终通过化学研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)使之平坦化形成隔离效果。

在浅沟道隔离平坦化过程(STI CMP)制程中由于研磨液结晶和颗粒的影响，形成刮伤，刮伤在后续的多晶硅栅极(Poly Gate)制程中形成多晶硅残留，从而形成相邻的多晶硅栅极短路，造成器件失效，所以对刮伤缺陷的控制对于保证器件良率十分重要

浅沟道隔离通常使用氧化硅材料，目前对于CMP机台的刮伤缺陷脱机检测通常通过长有氧化硅的晶圆模拟正常制程，随后利用光学颗粒检测机台进行缺陷检测，因为缺陷检测机台对氧化硅的透过率较高，平坦化后刮伤缺陷在光学缺陷中的信号较弱无法准确的得到机台的状况，从而对后续的产品造成影响。

发明人发现，采用现有技术中的缺陷预测方法往往会出现漏报缺陷的问题，严重时甚至会导致芯片的流片失败、或产品的良率下降等问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种化学机械研磨机台缺陷检测方法，以解决现有缺陷检测技术中检测不准确的问题。

本申请提供了一种化学机械研磨机台缺陷检测方法，包括以下步骤：

步骤一：.在半导体衬底上沉积具有第一厚度的氧化硅膜层；

步骤二：利用待检测的化学机械研磨机台研磨所述第一厚度的氧化硅膜层，得到具有第二厚度的氧化硅膜层；

步骤三：在所述具有第二厚度的氧化硅膜层上形成第二膜层，所述第二膜层的透明度小于所述具有第二厚度的氧化硅膜层；

步骤四：去除所述第二膜层，形成一被检测样品；

步骤五：对所述被检测样品进行缺陷检测，并记录缺陷值；

步骤六：判断所述缺陷值是否在预定缺陷值的范围内，若是，则判定所述化学机械研磨机台存在机台正常，若否，则判定所述化学机械研磨缺陷。

可选的，在所述化学机械研磨机台缺陷检测方法中，采用光学缺陷检测机台对所述第二厚度的氧化硅膜层进行缺陷检测。

可选的，在所述化学机械研磨机台缺陷检测方法中，所述缺陷值为缺陷的个数，所述预定缺陷值的范围为0-20个。

可选的，在所述化学机械研磨机台缺陷检测方法中，所述具有第一厚度的氧化硅膜层的厚度与待检测所述化学机械研磨机台所加工的产品在研磨前的厚度相等。

可选的，在所述化学机械研磨机台缺陷检测方法中，所述具有第二厚度的氧化硅膜层的厚度与待检测所述化学机械研磨机台所加工的产品在研磨后的厚度相等。

可选的，在所述化学机械研磨机台缺陷检测方法中，所述第二膜层的厚度范围为1000nm～2000nm。