[发明专利]一种化学机械研磨机台缺陷检测方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：在半导体衬底上沉积具有第一厚度的氧化硅膜层；

步骤二：利用待检测的化学机械研磨机台研磨所述第一厚度的氧化硅膜层，得到具有第二厚度的氧化硅膜层，使得待检测的化学机械研磨机台研磨完成后对所述具有第二厚度的氧化硅膜层造成的缺陷与对产品造成的缺陷一致；

步骤三：在所述具有第二厚度的氧化硅膜层上形成第二膜层，所述第二膜层的透明度小于所述具有第二厚度的氧化硅膜层；

步骤四：去除所述第二膜层，使得所述具有第二厚度的氧化硅膜层上的缺陷内残留所述第二膜层的颗粒，形成一被检测样品；

步骤五：对所述被检测样品进行缺陷检测，并记录缺陷值；

步骤六：判断所述缺陷值是否在预定缺陷值的范围内，若是，则判定所述化学机械研磨机台正常，若否，则判定所述化学机械研磨机台存在缺陷。

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，采用光学缺陷检测机台对所述第二厚度的氧化硅膜层进行缺陷检测。

3.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷值为缺陷的个数，所述预定的缺陷值范围为0-20个。

4.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，所述具有第一厚度的氧化硅膜层的厚度与待检测所述化学机械研磨机台所加工的产品在研磨前的厚度相等。

5.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，所述具有第二厚度的氧化硅膜层的厚度与待检测所述化学机械研磨机台所加工的产品在研磨后的厚度相等。

6.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，所述第二膜层的厚度范围为1000nm～2000nm。

7.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，去除所述第二膜层的方法为平坦化研磨工艺。

8.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，所述第二膜层为钨膜层、铜膜层、多晶硅膜层中的一种。

9.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，若所述化学机械研磨机台存在缺陷，通过对所述缺陷的分析，以确定所述化学机械研磨机台缺陷产生原因。

10.根据权利要求9所述的化学机械研磨机台缺陷检测方法，其特征在于，还包括根据确定的所述化学机械研磨机台缺陷产生原因对所述化学机械研磨机台进行调整，以使所述化学机械研磨机台能够达到投入生产的标准。