[发明专利]摄像装置在审
申请号: | 201910788014.7 | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN111048536A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 佐藤好弘;高见义则;境田良太 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的一方式的摄像装置具备:包含第1导电型的第1扩散区域以及所述第1导电型的第2扩散区域的半导体基板,与所述第1扩散区域相接、并包含半导体的第1插塞,与所述第2扩散区域相接、并包含半导体的第2插塞,以及与所述第1插塞电连接的光电转换部。在从与所述半导体基板垂直的方向观察时,所述第2插塞的面积大于所述第1插塞的面积。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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