[发明专利]摄像装置

说明书

本公开的一方式的摄像装置具备：包含第1导电型的第1扩散区域以及所述第1导电型的第2扩散区域的半导体基板，与所述第1扩散区域相接、并包含半导体的第1插塞，与所述第2扩散区域相接、并包含半导体的第2插塞，以及与所述第1插塞电连接的光电转换部。在从与所述半导体基板垂直的方向观察时，所述第2插塞的面积大于所述第1插塞的面积。

技术领域

本公开涉及摄像装置。

背景技术

在数字相机等中广泛使用CCD(电荷耦合器件：Charge Coupled Device)影像传感器以及CMOS(互补金属氧化物半导体：Complementary Metal Oxide Semiconductor)影像传感器。这些影像传感器具有形成于半导体基板的光电二极管。

另一方面，例如，如国际公布第2012/147302号所公开，提出了具有将具有光电转换层的光电转换部配置于半导体基板的上方的构造的摄像装置。具有这样的构造的摄像装置有时被称作层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，通过光电转换产生的电荷向设置于半导体基板的电荷积蓄区域积蓄。与电荷积蓄区域中积蓄的电荷量对应的信号经由形成于半导体基板的CCD电路或者CMOS电路而读出。

在具有设置于半导体基板的电荷积蓄区域的摄像装置中，由于从电荷积蓄区域流出或者流向电荷积蓄区域的漏电流即暗电流，得到的图像有可能发生劣化。

发明内容

本公开的一方式的摄像装置具备包含第1导电型的第1扩散区域以及所述第1导电型的第2扩散区域的半导体基板，与所述第1扩散区域相接、并包含半导体的第1插塞(plug)，与所述第2扩散区域相接、并包含半导体的第2插塞，以及与所述第1插塞电连接的光电转换部。在从与所述半导体基板垂直的方向观察时，所述第2插塞的面积大于所述第1插塞的面积。

此外，概括性的或者具体的方式也可以通过元件、设备、模块、系统或者方法实现。此外，概括性的或者具体的方式也可以由元件、设备、模块、系统以及方法的任意组合实现。

此外，公开的实施方式的追加效果以及优点根据说明书以及附图而清楚。效果以及/或者优点由说明书以及附图中公开的各种实施方式或者特征分别提供，不需要全部来获得效果以及/或者优点的一个以上。

附图说明

图1是表示实施方式1的摄像装置的构成的图。

图2是表示实施方式1的摄像装置的电路结构的图。

图3是构成实施方式1的摄像装置的像素内的布局的俯视图。

图4是表示实施方式1的摄像装置的像素的设备构造的概略截面图。

图5是将实施方式1的摄像装置的2个接触插塞的附近放大表示的截面图。

图6是按焊盘的宽度表示实施方式1的摄像装置的接触插塞附近的电子以及空穴的浓度分布的图。

图7是表示实施方式1的变形例1的摄像装置的像素内的布局的俯视图。

图8是表示实施方式1的变形例2的摄像装置的像素内的布局的俯视图。

图9是表示实施方式2的摄像装置的像素内的布局的俯视图。

图10是表示实施方式2的摄像装置的像素的设备构造的概略截面图。

附图标记说明

10、10A、10B、10C 像素

12 光电转换部

12a 像素电极

12b 光电转换层

12c 透明电极

14 信号检测电路