[发明专利]摄像装置

权利要求书

1.一种摄像装置，具备：

半导体基板，包含第1导电型的第1扩散区域以及所述第1导电型的第2扩散区域；

第1插塞，与所述第1扩散区域相接，并包含半导体；

第2插塞，与所述第2扩散区域相接，并包含半导体；以及

光电转换部，与所述第1插塞电连接，

在从与所述半导体基板垂直的方向观察时，所述第2插塞的面积大于所述第1插塞的面积。

2.如权利要求1所述的摄像装置，

所述摄像装置还具备位于所述半导体基板上的绝缘膜，

所述第1插塞包含：

第1触头，与所述第1扩散区域相接，并贯通所述绝缘膜；以及

第1焊盘，位于所述第1触头上，在从与所述半导体基板垂直的方向观察时的面积比所述第1触头大，

所述第2插塞包含：

第2触头，与所述第2扩散区域相接，并贯通所述绝缘膜；以及

第2焊盘，位于所述第2触头上，在从与所述半导体基板垂直的方向观察时的面积比所述第2触头大，

在从与所述半导体基板垂直的方向观察时，所述第2焊盘的面积大于所述第1焊盘的面积。

3.如权利要求2所述的摄像装置，还具备：

第1晶体管，将所述第1扩散区域作为源极以及漏极中的一方而包含，并包含第1栅极；以及

第2晶体管，将所述第2扩散区域作为源极以及漏极中的一方而包含，并包含第2栅极，

所述第2焊盘的与所述第2栅极的宽度方向平行的方向的长度比所述第1焊盘的与所述第1栅极的宽度方向平行的方向的长度长。

4.如权利要求2所述的摄像装置，

所述第2焊盘与所述第2栅极的距离比所述第1焊盘与所述第1栅极的距离长。

5.如权利要求2所述的摄像装置，

在从与所述半导体基板垂直的方向观察时，所述第2触头的面积比所述第1触头的面积大。

6.如权利要求1所述的摄像装置，

所述第1插塞以及所述第2插塞包含所述第1导电型的杂质，

所述第2插塞中的所述第1导电型的杂质的浓度比所述第1插塞中的所述第1导电型的杂质的浓度高。

7.如权利要求2所述的摄像装置，还具备：

第1晶体管，将所述第1扩散区域作为源极以及漏极中的一方而包含，并包含第1栅极；以及

第2晶体管，将所述第2扩散区域作为源极以及漏极中的一方而包含，并包含第2栅极，

所述第2焊盘的与所述第2栅极的长度方向平行的方向的长度比所述第1焊盘的与所述第1栅极的长度方向平行的方向的长度长。