[发明专利]晶圆加工方法有效
| 申请号： | 201910775107.6 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420485B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 赵丹丹 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开是关于一种晶圆的加工方法，该加工方法包括：提供待加工的晶圆；将晶圆水平放置于一转盘上，转盘位于反应室中，且转盘以预设速度带着晶圆同步转动；向反应室内持续通入清洁气体，并用化学溶液对晶圆表面进行化学处理；在化学处理完成后，采用纯水对晶圆进行清洗；在纯水清洗完成后，将通入的清洁气体切换为第一预设温度的干燥气体，使干燥气体充满所述反应室；采用异丙醇置换晶圆上的纯水，同时向反应室内持续通入第二预设温度的干燥气体；待异丙醇完全置换出纯水后，向反应室内持续通入第三预设温度的干燥气体，使异丙醇完全蒸发。本公开提供的晶圆加工方法，能够避免晶圆表面形成凝结，避免晶圆图案坍塌。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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