[发明专利]晶圆加工方法有效
申请号: | 201910775107.6 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN112420485B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 赵丹丹 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
1.一种晶圆加工方法,其特征在于,包括:
提供待加工的晶圆;
将所述晶圆水平放置于一转盘上,所述转盘位于反应室中,且所述转盘以预设速度带着所述晶圆同步转动;
向所述反应室内持续通入清洁气体,并用化学溶液对所述晶圆表面进行化学处理;
在化学处理完成后,采用纯水对所述晶圆表面上的所述化学溶液进行清洗;
在纯水清洗完成后,将通入的所述清洁气体切换为第一预设温度的干燥气体,使所述干燥气体充满所述反应室;其中,所述第一预设温度大于20℃,能够相对提高所述反应室的温度;
采用异丙醇置换所述晶圆上的纯水,同时向所述反应室内持续通入第二预设温度的所述干燥气体;所述第二预设温度大于所述第一预设温度;
待异丙醇完全置换出纯水后,向所述反应室内持续通入第三预设温度的所述干燥气体,使异丙醇完全蒸发;所述第三预设温度大于或等于所述第二预设温度;其中,所述转盘在通入所述干燥气体的干燥阶段的预设速度会比其他阶段的转速较快。
2.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述加工方法还包括:
异丙醇完全蒸发后,将所述干燥气体切换为所述清洁气体。
3.根据权利要求2所述的加工方法,其特征在于,所述第三预设温度小于80℃。
4.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述清洁气体的温度为20℃~60℃。
5.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述干燥气体的湿度小于0.2g/m3。
6.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述反应室上设有加热装置,所述干燥气体通过所述加热装置加热至预设温度后通入所述反应室内。
7.根据权利要求6所述的加工方法,其特征在于,所述加热装置为加热板,所述加热板上设有多个通孔,所述清洁气体与所述干燥气体通过所述通孔通入所述反应室内。
8.根据权利要求7所述的加工方法,其特征在于,多个所述通孔阵列排布在所述加热板上。
9.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,在对所述晶圆加工的过程中,所述反应室的内压维持在正压状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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