[发明专利]晶圆加工方法

说明书

本公开是关于一种晶圆的加工方法，该加工方法包括：提供待加工的晶圆；将晶圆水平放置于一转盘上，转盘位于反应室中，且转盘以预设速度带着晶圆同步转动；向反应室内持续通入清洁气体，并用化学溶液对晶圆表面进行化学处理；在化学处理完成后，采用纯水对晶圆进行清洗；在纯水清洗完成后，将通入的清洁气体切换为第一预设温度的干燥气体，使干燥气体充满所述反应室；采用异丙醇置换晶圆上的纯水，同时向反应室内持续通入第二预设温度的干燥气体；待异丙醇完全置换出纯水后，向反应室内持续通入第三预设温度的干燥气体，使异丙醇完全蒸发。本公开提供的晶圆加工方法，能够避免晶圆表面形成凝结，避免晶圆图案坍塌。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种晶圆的加工方法。

背景技术

在半导体器件的整个制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一，高达20％的工艺步骤为清洗工艺，使得晶圆表面的清洗度成为影响半导体器件可靠性的重要因素。清洗的目的是为了避免微尘颗粒，微量离子和金属杂质对半导体器件的污染，从而提高半导体器件的性能和合格率。

在常用的半导体工艺中，例如：沉积、等离子体刻蚀、旋涂光刻胶、光刻、电镀等等，都有可能会在晶圆表面引入污染和/或颗粒，导致晶圆表面的清洁度下降，制造的半导体器件良率降低的问题。

目前，在单片式清洗的机台反应腔室中，通常先采用纯水(DIW)对晶圆表面的残留的化学溶液进行清洗，然后采用异丙醇(IPA)置换出晶圆表面的纯水，最后采用旋转甩干的方式使异丙醇蒸发，但目前的工艺异丙醇很难完全置换出纯水，晶圆表面就容易形成水渍和凝结缺陷。此外，异丙醇的置换效果不好，还会导致晶圆图案倒塌，从而影响半导体器件的性能，导致产品良率降低。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种能够避免晶圆表面形成水渍与凝结，避免晶圆图案坍塌的晶圆加工方法。

根据本公开的一个方面，提供了一种晶圆加工方法，该加工方法包括：

提供待加工的晶圆；

将所述晶圆水平放置于一转盘上，所述转盘位于反应室中，且所述转盘以预设速度带着所述晶圆同步转动；

向所述反应室内持续通入清洁气体，并用化学溶液对所述晶圆表面进行化学处理；

在化学处理完成后，采用纯水对所述晶圆表面上的所述化学溶液进行清洗；

在纯水清洗完成后，将通入的所述清洁气体切换为第一预设温度的干燥气体，使所述干燥气体充满所述反应室；

采用异丙醇置换所述晶圆上的纯水，同时向所述反应室内持续通入第二预设温度的所述干燥气体；

待异丙醇完全置换出纯水后，向所述反应室内持续通入第三预设温度的所述干燥气体，使异丙醇完全蒸发。

在本公开的一种示例性实施例中，所述加工方法还包括：

异丙醇完全蒸发后，将所述干燥气体切换为所述清洁气体。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第三预设温度大于或等于所述第二预设温度，所述第二预设温度大于所述第一预设温度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一预设温度大于20℃，所述第三预设温度小于80℃。

在本公开的一种示例性实施例中，所述清洁气体的温度为20℃～60℃。

在本公开的一种示例性实施例中，所述干燥气体的湿度小于0.2g/m³。