[发明专利]一种OLED面板及制作方法在审
| 申请号： | 201910774336.6 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110660813A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 林祥翔;郭鹏飞 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种OLED面板及制作方法，其中方法包括如下步骤，在基板上成膜缓冲层，在薄膜晶体管区的缓冲层上图案化有源层，在有源层之上图案化栅极绝缘层，并整体成膜第一导电膜层及栅极层，在电容区蚀刻所有栅极金属，在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层，在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层；图案化第二绝缘层，使得暴露薄膜晶体管区的有源层，并遮覆电容区的第一导电膜层；先后成膜第二导电膜层及电极层，在电容区蚀刻所有电极金属，在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层，所述源漏极通过第二导电膜层与有源层接触。本发明通过成膜透明导电膜以及金属膜层，并结合灰阶光罩，在画素电容区仅保留透明导电膜，使得面板金属膜层的面积进一步减少，增加面板的透光性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电膜层 薄膜晶体管区 电容区 蚀刻 栅极金属 成膜 源层 透明导电膜 金属膜层 缓冲层 图案化 源漏极 保留 绝缘层 图案化栅极绝缘层 图案化有源层 基板上成膜 电极金属 灰阶光罩 电极层 透光性 栅极层 画素 遮覆 暴露 制作 | ||
【主权项】：
1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤，在基板上成膜缓冲层，在薄膜晶体管区的缓冲层上图案化有源层，在有源层之上图案化栅极绝缘层，并整体成膜第一导电膜层及栅极层，在电容区蚀刻所有栅极金属，在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层，在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层；图案化第二绝缘层，使得暴露薄膜晶体管区的有源层，并遮覆电容区的第一导电膜层；先后成膜第二导电膜层及电极层，在电容区蚀刻所有电极金属，在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层，所述源漏极通过第二导电膜层与有源层接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
