[发明专利]一种OLED面板及制作方法在审
申请号: | 201910774336.6 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN110660813A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 陈宇怀 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 林祥翔;郭鹏飞 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电膜层 薄膜晶体管区 电容区 蚀刻 栅极金属 成膜 源层 透明导电膜 金属膜层 缓冲层 图案化 源漏极 保留 绝缘层 图案化栅极绝缘层 图案化有源层 基板上成膜 电极金属 灰阶光罩 电极层 透光性 栅极层 画素 遮覆 暴露 制作 | ||
一种OLED面板及制作方法,其中方法包括如下步骤,在基板上成膜缓冲层,在薄膜晶体管区的缓冲层上图案化有源层,在有源层之上图案化栅极绝缘层,并整体成膜第一导电膜层及栅极层,在电容区蚀刻所有栅极金属,在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层,在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层;图案化第二绝缘层,使得暴露薄膜晶体管区的有源层,并遮覆电容区的第一导电膜层;先后成膜第二导电膜层及电极层,在电容区蚀刻所有电极金属,在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层,所述源漏极通过第二导电膜层与有源层接触。本发明通过成膜透明导电膜以及金属膜层,并结合灰阶光罩,在画素电容区仅保留透明导电膜,使得面板金属膜层的面积进一步减少,增加面板的透光性。
技术领域
本发明涉及新的OLED的面板设计,尤其涉及一种增加透光率的透明OLED面板设计。
背景技术
随着显示技术的日益发展,各种新型技术不断涌现,透明显示技术因其透明的显示面板这一特性及其独特的应用,越来越受到人们的关注。
透明显示技术的核心是透明显示面板,透明显示板是一种能够显示图像的透明面板,它与双面显示板不同,双面显示板是一种能够在显示面板两侧同时显示图像的显示器件。而透明显示板在关闭时,面板就仿佛一块透明玻璃,当其工作时,观看者不仅能够观看到在面板上显示的内容,同时还能透过面板观看到面板后的物体。
近几年,研究人员对透明显示技术做了大量研究,尝试了各种不同的显示技术,如液晶显示技术、有机发光二极管显示技术、等离子体显示技术等。总体来说,透明显示技术可以根据显示器的不同分为两种。对于液晶显示器这种非自发光的显示器件,透明显示技术主要是利用外界光或者进行背光源的重排来达到透明显示;而对于OLED、PDP这种自发光显示器件,透明显示技术主要指通过技术改进采用透明度高的材料替代或者去除原来器件中不透明的部分,不断提高器件的整体透明度以实现透明显示。
发明内容
因此,需要提供一种新的OLED面板结构设计,达到改进电容区的透光率更多的提高产品透明度的技术效果。
为实现上述目的,发明人提供了一种OLED面板的制作方法,包括如下步骤,在基板上成膜缓冲层,在薄膜晶体管区的缓冲层上图案化有源层,在有源层之上图案化栅极绝缘层,并整体成膜第一导电膜层及栅极层,在电容区蚀刻所有栅极金属,在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层,在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层;图案化第二绝缘层,使得暴露薄膜晶体管区的有源层,并遮覆电容区的第一导电膜层;先后成膜第二导电膜层及电极层,在电容区蚀刻所有电极金属,在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层,所述源漏极通过第二导电膜层与有源层接触。
具体地,还包括步骤,制作钝化层并蚀刻暴露出漏极金属,再设置平坦层及画素定义层。
进一步地,在电容区蚀刻所有栅极金属,在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层,在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层,具体为,
在栅极层上涂布光阻,利用半色掩膜板进行曝光,设置电容区光线透过率为50%,薄膜晶体管的栅极走线部分透光率100%,其他部分透光率100%,然后进行显影液显影,去除其他部分的光阻,再进行蚀刻转印光罩图案,使得其他部分的栅极金属及第一导电膜层完全去除,通过灰化处理去除电容区的光阻,然后再次进行蚀刻,去除电容区的栅极金属及栅极走线部分的光阻。
进一步地,在电容区蚀刻所有电极金属,在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层,具体为,
在电极层上涂布光阻,利用半色掩膜板进行曝光,设置电容区光线透过率为50%,薄膜晶体管的源漏极走线部分透光率100%,其他部分透光率100%,然后进行显影液显影,去除其他部分的光阻,再进行蚀刻转印光罩图案,使得其他部分的电极金属及第二导电膜层完全去除,通过灰化处理去除电容区的光阻,然后再次进行蚀刻,去除电容区的电极金属及电极走线部分的光阻。
上述方法制得的OLED面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的