[发明专利]一种OLED面板及制作方法

权利要求书

1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤，在基板上成膜缓冲层，在薄膜晶体管区的缓冲层上图案化有源层，在有源层之上图案化栅极绝缘层，并整体成膜第一导电膜层及栅极层，在电容区蚀刻所有栅极金属，在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层，在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层；图案化第二绝缘层，使得暴露薄膜晶体管区的有源层，并遮覆电容区的第一导电膜层；先后成膜第二导电膜层及电极层，在电容区蚀刻所有电极金属，在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层，所述源漏极通过第二导电膜层与有源层接触。

2.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，还包括步骤，制作钝化层并蚀刻暴露出漏极金属，再设置平坦层及画素定义层。

3.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在电容区蚀刻所有栅极金属，在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层，在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层，具体为，

在栅极层上涂布光阻，利用半色掩膜板进行曝光，设置电容区光线透过率为50％，薄膜晶体管的栅极走线部分透光率100％，其他部分透光率100％，然后进行显影液显影，去除其他部分的光阻，再进行蚀刻转印光罩图案，使得其他部分的栅极金属及第一导电膜层完全去除，通过灰化处理去除电容区的光阻，然后再次进行蚀刻，去除电容区的栅极金属及栅极走线部分的光阻。

4.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在电容区蚀刻所有电极金属，在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层，具体为，

在电极层上涂布光阻，利用半色掩膜板进行曝光，设置电容区光线透过率为50％，薄膜晶体管的源漏极走线部分透光率100％，其他部分透光率100％，然后进行显影液显影，去除其他部分的光阻，再进行蚀刻转印光罩图案，使得其他部分的电极金属及第二导电膜层完全去除，通过灰化处理去除电容区的光阻，然后再次进行蚀刻，去除电容区的电极金属及电极走线部分的光阻。

5.根据权利要求1-4任一项制得的OLED面板。