[发明专利]晶片光处理装置和烧结炉在审
| 申请号： | 201910768522.9 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420870A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 苏文华 | 申请（专利权）人： | 伊利诺斯工具制品有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 脱颖 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种晶片光处理装置和烧结炉，该晶片光处理装置包括：晶片支撑装置、上部光源装置和下部光源装置。所述晶片支撑装置具有支撑件，所述支撑件被配置为能够将所述晶片支撑在所述上表面的上方；所述上部光源装置设置在所述晶片支撑装置的上方，并被配置为提供朝向所述支撑件的上表面照射的光源；所述下部光源装置设置在所述晶片支撑装置的下方，并被配置为提供朝向所述支撑件的下表面照射的光源。本申请提供的晶片光处理装置能够高效地处理晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 装置 烧结炉 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
