[发明专利]晶片光处理装置和烧结炉在审

专利信息
申请号: 201910768522.9 申请日: 2019-08-20
公开(公告)号: CN112420870A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 苏文华 申请(专利权)人: 伊利诺斯工具制品有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/04;H01L21/02
代理公司: 上海脱颖律师事务所 31259 代理人: 脱颖
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶片 处理 装置 烧结炉
【说明书】:

本申请提供一种晶片光处理装置和烧结炉,该晶片光处理装置包括:晶片支撑装置、上部光源装置和下部光源装置。所述晶片支撑装置具有支撑件,所述支撑件被配置为能够将所述晶片支撑在所述上表面的上方;所述上部光源装置设置在所述晶片支撑装置的上方,并被配置为提供朝向所述支撑件的上表面照射的光源;所述下部光源装置设置在所述晶片支撑装置的下方,并被配置为提供朝向所述支撑件的下表面照射的光源。本申请提供的晶片光处理装置能够高效地处理晶片。

技术领域

本申请涉及一种晶片光处理装置,尤其是用在烧结炉中的晶光光处理装置。

背景技术

目前,PERC太阳能电池是得到大范围商业应用的太阳能电池之一,在生产PERC太阳能电池时,在对电池电极的晶片经过烧结工序后,在自然状态下会发生一个光衰减后又恢复的过程。这一过程通常需要一定的时间,为了缩短这一过程的时间,在烧结工序之后,将对太阳能电池的晶片进行光处理,从而太阳能电池的晶片能在一个较短的时间内完成衰减后又恢复的过程。目前太阳能电池晶片的生产均采用流水线作业,在烧结工序后进入对晶片进行光处理将有效提高生产效率。

发明内容

本申请提供了一种晶片光处理装置,用于对烧结后的晶片进行光处理,包括:

晶片支撑装置,所述晶片支撑装置包括支撑件,所述支撑件具有相对设置的上表面和下表面,所述支撑件在从上表面到下表面的方向被镂空,所述支撑件被配置为能够将所述晶片支撑在所述上表面的上方;

上部光源装置,所述上部光源装置设置在所述晶片支撑装置的上方,并被配置为提供朝向所述支撑件的上表面照射的光源;以及

下部光源装置,所述下部光源装置设置在所述晶片支撑装置的下方,并被配置为提供朝向所述支撑件的下表面照射的光源。

如上所述的晶片光处理装置,所述晶片支撑装置包括传送带,所述传送带形成所述支撑件。

如上所述的晶片光处理装置,所述传送带上设有隔离件,所述隔离件被配置为能够将所述晶片与所述传送带的上表面之间隔开一定距离。

如上所述的晶片光处理装置,所述上部光源装置和所述下部光源装置分别包括多个光源模块,在对晶片进行光处理时,可以启动所述多个光源模块中的一个或多个。

如上所述的晶片光处理装置,所述光源模块提供LED光源。

如上所述的晶片光处理装置,所述上部光源装置在单位时间内能够提供的最大光照能量大于所述下部光源装置在单位时间内能够提供的最大光照能量。

如上所述的晶片光处理装置,所述晶片光处理装置还包括:

上部透明挡板,所述上部透明挡板位于所述上部光源装置和所述晶片支撑装置之间,并与所述上部光源装置之间具有间距,所述上部透明挡板上设有若干孔;

下部透明挡板,所述下部透明挡板位于所述下部光源装置和所述支撑装置之间,并与所述下部光源装置之间具有间距。

如上所述的晶片光处理装置,所述晶片光处理装置还包括:

上部冷却装置,所述上部冷却装置设置在所述上部光源装置的上方,从而为所述上部光源装置提供冷却,

下部冷却装置,所述下部冷却装置设置在所述下部光源装置的下方,用于为所述下部光源装置提供冷却。

如上所述的晶片光处理装置,所述晶片光处理组件还包括:

壳体,所述上部光照装置和所述下部光源装置均位于所述壳体中,所述壳体包括进风口和出风口,所述进风口位于所述壳体的上方,所述出风口位于所述壳体的下方,使得气流能够从进风口流入并从出风口流出。

本申请提供一种烧结炉,所述烧结炉包括:

晶片烧结处理装置;以及

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