[发明专利]晶片光处理装置和烧结炉

权利要求书

1.一种晶片光处理装置，用于对烧结后的晶片进行光处理，其特征在于，包括：

晶片支撑装置(140a,140b)，所述晶片支撑装置(140a,140b)包括支撑件，所述支撑件具有相对设置的上表面(605)和下表面(607)，所述支撑件在从上表面(605)到下表面(607)的方向被镂空，所述支撑件被配置为能够将所述晶片支撑在所述上表面(605)的上方；

上部光源装置(402)，所述上部光源装置(402)设置在所述晶片支撑装置(140a,140b)的上方，并被配置为提供朝向所述支撑件(305)的上表面照射的光源；以及

下部光源装置(502)，所述下部光源装置(502)设置在所述晶片支撑装置(140a,140b)的下方，并被配置为提供朝向所述支撑件(305)的下表面(607)照射的光源。

2.如权利要求1所述的晶片光处理装置，其特征在于：

所述晶片支撑装置包括传送带(305)，所述传送带(305)形成所述支撑件。

3.如权利要求2所述的晶片光处理装置，其特征在于：

所述传送带(305)上设有隔离件(618)，所述隔离件(618)被配置为能够将所述晶片与所述传送带(305)的上表面之间隔开一定距离。

4.如权利要求1所述的晶片光处理装置，其特征在于：

所述上部光源装置(402)和所述下部光源装置(502)分别包括多个光源模块，在对晶片进行光处理时，可以启动所述多个光源模块中的一个或多个。

5.如权利要求4所述的晶片光处理装置，其特征在于：

所述光源模块提供LED光源。

6.如权利要求1所述的晶片光处理装置，其特征在于：

所述上部光源装置(402)在单位时间内能够提供的最大光照能量大于所述下部光源装置(502)在单位时间内能够提供的最大光照能量。

7.如权利要求1所述的晶片光处理装置，其特征在于所述晶片光处理组件还包括：

上部透明挡板(403)，所述上部透明挡板(403)位于所述上部光源装置(402)和所述晶片支撑装置(140a,140b)之间，并与所述上部光源装置(402)之间具有间距，所述上部透明挡板(403)上设有若干孔；

下部透明挡板(503)，所述下部透明挡板(503)位于所述下部光源装置(502)和所述支撑装置(140a,140b)之间，并与所述下部光源装置(502)之间具有间距。

8.如权利要求1所述的晶片光处理装置，其特征在于所述晶片光处理组件还包括：

上部冷却装置(401)，所述上部冷却装置(401)设置在所述上部光源装置(402)的上方，从而为所述上部光源装置(402)提供冷却，

下部冷却装置(501)，所述下部冷却装置(501)设置在所述下部光源装置(502)的下方，用于为所述下部光源装置(502)提供冷却。

9.如权利要求1所述的晶片光处理装置，其特征在于所述晶片光处理组件还包括：

壳体(101)，所述上部光照装置(402)和所述下部光源装置(502)均位于所述壳体中(101)，所述壳体包括进风口(103a,103b)和出风口(104a,104b)，所述进风口(103a,103b)位于所述壳体(101)的上方，所述出风口(104a,140b)位于所述壳体的下方，使得气流能够从进风口(103a,103b)流入并从出风口(104a,140b)流出。

10.一种烧结炉，其特征在于所述烧结炉包括：

晶片烧结处理装置；以及

如权利要求1-9中任一项所述的晶片光处理装置，所述晶片光处理装置设置在所述晶片烧结处理装置的下游。