[发明专利]装置、存储器装置和电子系统在审
| 申请号: | 201910768465.4 | 申请日: | 2019-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN110854122A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
| 发明(设计)人: | E·N·李 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本申请涉及装置、存储器装置和电子系统。一种半导体装置结构包括:块,其具有贯穿第一区、与所述第一存储器区侧向相邻的第二区和与所述第二区侧向相邻的第三区侧向延伸的基本上均匀的节距;存储器串,其纵向延伸穿过位于所述第一区中的所述块的第一部分;柱结构,其纵向延伸穿过位于所述第二区中的所述块的第二部分;导电触点,其纵向延伸穿过位于所述第三区中的所述块的第三部分;以及导电线结构,其电耦合到所述存储器串和所述导电触点且在所述存储器串与所述导电触点之间侧向延伸。所述块中的每一个包括层,每一层包括导电结构和与所述导电结构纵向相邻的绝缘结构。还描述了半导体装置和电子系统。 | ||
| 搜索关键词: | 装置 存储器 电子 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





