[发明专利]装置、存储器装置和电子系统

说明书

本申请涉及装置、存储器装置和电子系统。一种半导体装置结构包括：块，其具有贯穿第一区、与所述第一存储器区侧向相邻的第二区和与所述第二区侧向相邻的第三区侧向延伸的基本上均匀的节距；存储器串，其纵向延伸穿过位于所述第一区中的所述块的第一部分；柱结构，其纵向延伸穿过位于所述第二区中的所述块的第二部分；导电触点，其纵向延伸穿过位于所述第三区中的所述块的第三部分；以及导电线结构，其电耦合到所述存储器串和所述导电触点且在所述存储器串与所述导电触点之间侧向延伸。所述块中的每一个包括层，每一层包括导电结构和与所述导电结构纵向相邻的绝缘结构。还描述了半导体装置和电子系统。

优先权要求

本申请要求2018年8月21日提交的标题为“半导体装置结构、半导体装置和电子系统(SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES,SEMICONDUCTOR DEVICES,AND ELECTRONICSYSTEMS)”的第16/106,752号美国专利申请的申请日的权益。

技术领域

在各种实施例中，本公开大体上涉及半导体装置设计和制造的领域。更具体地说，本公开涉及包含数据线接触区的半导体装置结构，且涉及相关的半导体装置和电子系统。

背景技术

半导体行业的持续目标一直是增大存储器装置的存储器密度(例如，存储器裸片的存储器单元的数目)，所述存储器装置例如，非易失性存储器装置(例如，NAND快闪存储器装置)。增大非易失性存储器装置中的存储器密度的一个方式是利用竖直存储器阵列(也被称作“三维(3D)存储器阵列”)架构。常规竖直存储器阵列包含延伸穿过导电结构(例如，字线、控制栅极)的层中的开口的竖直存储器串和竖直存储器串和导电结构的每一结处的介电材料。相比于具有常规平面(例如，二维)晶体管布置的结构，此配置准许通过在裸片上朝上(例如，纵向、竖直)构建阵列来使更多数目的开关装置(例如，晶体管)位于裸片区域的单元(即，所消耗的有源表面的长度和宽度)中。

在常规3D存储器装置结构中，数据线(例如，位线、数字线)电耦合到竖直存储器阵列的竖直存储器串，且紧靠竖直存储器阵列的边缘设置开口，以容纳数据线中的每一个的数据线触点。数据线触点将数据线电耦合到控制逻辑电路，以促进在竖直存储器阵列的竖直存储器串上的操作(例如，读取操作、写入操作、擦除操作)。然而，紧靠竖直存储器阵列为数据线触点设置开口可实现对竖直存储器阵列的边缘的损坏和/或在竖直存储器阵列的边缘处产生缺陷(例如，通常被称为“阵列边缘效应”)。因此，“虚设”柱(例如，介电柱)阵列常规地设置于竖直存储器阵列与开口之间，以将竖直存储器阵列的边缘设置成向后远离开口且减少对竖直存储器阵列的边缘的前述损坏和/或在竖直存储器阵列的边缘处的缺陷。不利的是，这种开口和这种虚设柱阵列常规需要的区域可能阻碍此类3D存储器装置结构中的整体侧向尺寸和充填密度的改进。

因此，需要一种呈现改进的充填密度的3D半导体装置结构，例如用于3D非易失性存储器装置(例如，3D NAND快闪存储器装置)的存储器装置结构，以及需要包含半导体装置结构的相关联的半导体装置和电子系统。

发明内容

在一个实施例中，装置包括：块，其具有贯穿第一区、与所述第一区侧向相邻的第二区和与所述第二区侧向相邻的第三区侧向延伸的基本上均匀的节距；存储器串，其纵向延伸穿过位于所述第一区中的所述块的第一部分；柱结构，其纵向延伸穿过位于所述第二区中的所述块的第二部分；导电触点，其纵向延伸穿过位于所述第三区中的所述块的第三部分；以及导电线结构，其电耦合到所述存储器串和所述导电触点且在所述存储器串与所述导电触点之间侧向延伸。所述块中的每一个包括层，每一层包括导电结构和与所述导电结构纵向相邻的绝缘结构。