[发明专利]装置、存储器装置和电子系统

权利要求书

1.一种装置，其包括：

块，其具有贯穿第一区、与所述第一区侧向相邻的第二区和与所述第二区侧向相邻的第三区侧向延伸的基本上均匀的节距，所述块中的每一个包括层，每一层包括导电结构和与所述导电结构纵向相邻的绝缘结构；

存储器串，其纵向延伸穿过位于所述第一区中的所述块的第一部分；

柱结构，其纵向延伸穿过位于所述第二区中的所述块的第二部分；

导电触点，其纵向延伸穿过位于所述第三区中的所述块的第三部分；以及

导电线结构，其电耦合到所述存储器串和所述导电触点且在所述存储器串与所述导电触点之间侧向延伸。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述块中的每一个呈现与所述块彼此基本上相同的大小、形状和间距。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述块中的每一个进一步包括：

导电栅极结构，其位于所述层下面；以及

额外侧向相邻的导电栅极结构，其上覆于所述层。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述块中的至少一个在所述第二区与所述第三区之间共享。

5.根据权利要求4所述的装置，其中：

所述块中的至少一个的第一子块位于所述第二区内且包括从中纵向延伸穿过的所述柱结构的至少一部分；以及

所述块中的所述至少一个的第二子块位于所述第三区内且包括从中纵向延伸穿过的所述导电触点的至少一部分。

6.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

另一导电线结构，其位于所述块下面；以及

控制逻辑结构，其位于所述另一导电线结构下面。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述导电触点从所述导电线结构纵向延伸穿过位于所述第三区中的所述块的所述第三部分且穿过所述另一导电线结构，并且到达所述控制逻辑结构。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述块中的每一个进一步包括阶梯结构，所述阶梯结构具有包括所述层的侧向端的步阶。

9.根据权利要求8所述的装置，其进一步包括：

控制逻辑结构；以及

额外导电线结构，其在所述阶梯结构的所述步阶处电耦合到块中的每一个的所述导电结构。

10.根据权利要求9所述的装置，其中每一层的所述导电结构包括金属和合金中的一或多个。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述柱结构包括介电柱。

12.根据权利要求1所述的装置，其中半导体装置是3D NAND快闪存储器装置。

13.一种存储器装置，其包括：

块和槽的交替图案，其贯穿至少一个存储器区、至少一个虚设区和至少一个数据线接触区中的每一个基本上均匀地侧向延伸，所述块中的每一个包括：

层，其各自包括导电结构和与所述导电结构竖直相邻的绝缘结构；以及

阶梯结构，其具有包括所述层的侧向端的步阶；

竖直存储器串，其延伸穿过至少部分地位于所述至少一个存储器区内的所述块中的一或多个；

竖直柱，其延伸穿过至少部分地位于所述至少一个虚设区内的所述块中的一或多个；

竖直数据线触点，其延伸穿过至少部分地位于所述至少一个数据线接触区内的所述块中的一或多个；以及

数据线，其在所述竖直存储器串与所述竖直数据线触点之间延伸。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中：

所述块中的每一个呈现基本上相同的最外侧向尺寸；且

所述槽中的每一个呈现基本上相同的最外侧向尺寸。