[发明专利]一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法在审
申请号: | 201910756765.0 | 申请日: | 2019-08-16 |
公开(公告)号: | CN110467920A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 郑明辉;张健健;郭玲 | 申请(专利权)人: | 紫光宏茂微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | C09K13/04 | 分类号: | C09K13/04;H01L21/02 |
代理公司: | 31285 上海市嘉华律师事务所 | 代理人: | 黄琮;傅云<国际申请>=<国际公布>=< |
地址: | 201700 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法,涉及多芯片封片技术领域所述分离方法包括去除芯片的黑色封膠得到第一试样;去除所述第一试样的芯片金线得到第二试样;所述第二试样置于腐蚀剂中浸泡2~3h得到第三试样;所述第三试样用丙酮冲洗;其中,所述腐蚀剂包括质量百分比为65%~68%的硝酸和质量百分比大于98%的发烟硝酸,且所述质量百分比为65%~68%的硝酸和质量百分比大于98%的发烟硝酸的体积比为1∶1。本发明方法作业过程易控制,且芯片形态不会损坏,并可以使3D叠芯片裸片元器件中芯片全部独立暴露出来,使芯片中缺陷容易观察。 | ||
搜索关键词: | 质量百分比 腐蚀剂 发烟硝酸 芯片 硝酸 元器件 去除 丙酮冲洗 芯片分离 芯片封装 芯片裸片 芯片形态 作业过程 多芯片 体积比 中芯片 叠层 封片 金线 浸泡 暴露 观察 | ||
【主权项】:
1.一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂,其特征在于,所述腐蚀剂包括质量百分比为65%~68%的硝酸和质量百分比大于98%的发烟硝酸,且所述质量百分比为65%~68%的硝酸和质量百分比大于98%的发烟硝酸的体积比为1∶1。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于紫光宏茂微电子(上海)有限公司,未经紫光宏茂微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910756765.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。