[发明专利]一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法在审
| 申请号： | 201910756765.0 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110467920A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 郑明辉;张健健;郭玲 | 申请（专利权）人： | 紫光宏茂微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 31285 上海市嘉华律师事务所 | 代理人： | 黄琮;傅云<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 201700 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 质量百分比 腐蚀剂 发烟硝酸 芯片 硝酸 元器件 去除 丙酮冲洗 芯片分离 芯片封装 芯片裸片 芯片形态 作业过程 多芯片 体积比 中芯片 叠层 封片 金线 浸泡 暴露 观察 | ||
1.一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂，其特征在于，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。
2.根据权利要求1所述的3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂，其特征在于，所述腐蚀剂在85～95摄氏度条件下进行工作。
3.一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，其特征在于，所述分离方法包括以下步骤：
去除芯片的黑色封膠得到第一试样；
去除所述第一试样的芯片金线得到第二试样；
所述第二试样置于腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样；
所述第三试样用丙酮冲洗；
其中，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。
4.根据权利要求3所述3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，其特征在于，所述去除芯片的黑色封膠的步骤为：
所述芯片置于温度为145～155摄氏度的发烟硝酸中浸泡5～8min。
5.根据权利要求3所述3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，其特征在于，去除所述第一试样的芯片金线的步骤为：
所述第一试样置于温度为85～95摄氏度的王水中浸泡7～8min。
6.根据权利要求3所述3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，其特征在于，所述第二试样置于温度为85～95摄氏度的腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样。
7.根据权利要求3所述3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，其特征在于，所述第三试样用丙酮冲洗5s～8s。
8.根据权利要求3所述3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，其特征在于，所述第三试样用丙酮冲洗完成后采用真空笔吸取出。
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