[发明专利]一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法

说明书

本发明公开一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法，涉及多芯片封片技术领域所述分离方法包括去除芯片的黑色封膠得到第一试样；去除所述第一试样的芯片金线得到第二试样；所述第二试样置于腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样；所述第三试样用丙酮冲洗；其中，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。本发明方法作业过程易控制，且芯片形态不会损坏，并可以使3D叠芯片裸片元器件中芯片全部独立暴露出来，使芯片中缺陷容易观察。

技术领域

本发明涉及多芯片封片技术领域，具体是一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法。

背景技术

对于全新的3D叠芯片裸片的封装元器件，若在使用过程中出现失效时，有时需要通过破坏性的物理分析，检查其每层芯片裸片的状况时，这就需要将元器件的每层芯片裸片都暴露，并对各芯片裸片的外部结构进行检查，便于验证其内部材料，设计和结构是否符合适用的设计文件或其他规定的要求。

3D叠芯片裸片的封装是高性能元器件的一种重要的封装形式，其鲜明的特点为元器件的物理分析带来了新的挑战，如何将3D叠芯片裸片元器件的每层芯片分离，便成为了3D叠芯片裸片封装元器件失效分析/物理分析过程中遇到的棘手问题。

发明内容

(一)解决的技术问题

本发明的目的在于提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

(二)技术方案

为了克服上述技术缺陷，本发明提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法。

第一方面，本发明提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。

优选的，所述腐蚀剂在85～95摄氏度条件下进行工作。

第二方面，本发明还提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，所述分离方法包括以下步骤：

去除芯片的黑色封膠得到第一试样；

去除所述第一试样的芯片金线得到第二试样；

所述第二试样置于腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样；

所述第三试样用丙酮冲洗；

其中，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。

优选的，所述去除芯片的黑色封膠的步骤为：

所述芯片置于温度为145～155摄氏度的发烟硝酸中浸泡5～8min。

优选的，去除所述第一试样的芯片金线的步骤为：

所述第一试样置于温度为85～95摄氏度的王水中浸泡7～8min。

优选的，所述第二试样置于温度为85～95摄氏度的腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样。

优选的，所述第三试样用丙酮冲洗5s～8s。

优选的，所述第三试样用丙酮冲洗完成后采用真空笔吸取出。

(三)有益效果

本发明提供了一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法。与现有技术相比，具备以下有益效果：