[发明专利]一种NAND Flash的操作检测方法在审
| 申请号： | 201910752065.4 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110473583A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘凯 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C29/56 |
| 代理公司： | 37218 济南泉城专利商标事务所 | 代理人： | 赵玉凤<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种NAND Flash的操作检测方法，本方法首先根据操作类型、NAND Flash所处的温度、磨损次数确定每种操作对应的最大耗时，然后根据操作类型确定每种操作对应的检测间隔时间，从而确定每种操作在一段时间内对应的最大检测次数，最后每隔检测间隔时间时间检查NAND Flash的状态，判断操作是否完成，并对检查次数做加一操作，当检测次数大于最大检测次数时则返回错误状态或者根据配置进行错误处理。本发明能够减少操作时多余的等待时间，提高NAND操作的整体效率。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 操作类型 操作检测 错误处理 错误状态 时间检查 整体效率 磨损 耗时 返回 配置 检查 | ||
【主权项】：
1.一种NAND Flash的操作检测方法，其特征在于：包括以下步骤：S01)、根据操作类型、NAND Flash所处的温度、磨损次数确定每种操作对应的最大耗时TMAX；S02)、根据操作类型确定每种操作对应的检测间隔时间Tcheck；S03)、根据最大耗时、检测间隔时间确定每种操作在一段时间内对应的最大检测次数NMAX，
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