[发明专利]一种NAND Flash的操作检测方法

权利要求书

1.一种NAND Flash的操作检测方法，其特征在于：包括以下步骤：S01)、根据操作类型、NAND Flash所处的温度、磨损次数确定每种操作对应的最大耗时T_MAX；S02)、根据操作类型确定每种操作对应的检测间隔时间T_check；S03)、根据最大耗时、检测间隔时间确定每种操作在一段时间内对应的最大检测次数N_MAX，S04)、初始化检查次数N，令N＝0，每隔T_check时间检测NAND Flash的状态，判断操作是否完成，并在每次检测时对检查次数N做加一操作，若操作已经完成则返回命令结束以及完成时的状态；若没有结束则按照检测间隔时间继续检测，当N大于N_MAXN时，则返回错误状态或者根据配置进行错误处理。

2.根据权利要求1所述的NAND Flash的操作检测方法，其特征在于：读取操作在一段时间内对应的最大检测次数N_read＝T_MAX-read/T_r-check，T_MAX-read是读取操作的最大耗时，T_r-check是读取操作的检测间隔时间，读取操作受温度和磨损次数情况影响较小，只记录一个最大耗时值即可。

3.根据权利要求1所述的NAND Flash的操作检测方法，其特征在于：写入操作在一段时间内对应的最大检测次数N_{write-pe-temp}＝T_{MAX-pe-temp(write)}/T_pe-check，T_{MAX-pe-temp(write)}是写入操作的最大耗时，T_pe-check是写入操作的检测间隔时间，写入操作根据温度和磨损次数分区间统计最大耗时，磨损次数的记录区间为1000次PE，温度统计从40℃开始，40℃以下记录一次，然后每升高10℃为一次记录区间,需要记录内容为：PE在某个区间时，需要进行温度变换，统计每个温度区间的T_MAX。

4.根据权利要求1所述的NAND Flash的操作检测方法，其特征在于：擦除操作在一段时间内对应的最大检测次数N_{erase-pe-temp}＝T_{MAX-pe-temp(erase)}/T_pe-check，T_{MAX-pe-temp(erase)}是擦除操作的最大耗时，T_pe-check是擦除操作的检测间隔时间，擦除操作根据温度和磨损次数分区间统计最大耗时，磨损次数的记录区间为1000次PE，温度统计从40℃开始，40℃以下记录一次，然后每升高10℃为一次记录区间,需要记录内容为：PE在某个区间时，需要进行温度变换，统计每个温度区间的T_MAX。

5.根据权利要求1所述的NAND Flash的操作检测方法，其特征在于：读取操作在读取命令发送完成后进行检查次数的初始化，写入操作在数据传输结束后进行检测次数的初始化，擦除操作在擦除确认命令发送完成后进行检测次数的初始化。

6.根据权利要求1所述的NAND Flash的操作检测方法，其特征在于：操作的结束标志为R/B信号线为高电平或者检测状态为ready。