[发明专利]一种NAND Flash的操作检测方法

说明书

本发明公开一种NAND Flash的操作检测方法，本方法首先根据操作类型、NAND Flash所处的温度、磨损次数确定每种操作对应的最大耗时，然后根据操作类型确定每种操作对应的检测间隔时间，从而确定每种操作在一段时间内对应的最大检测次数，最后每隔检测间隔时间时间检查NAND Flash的状态，判断操作是否完成，并对检查次数做加一操作，当检测次数大于最大检测次数时则返回错误状态或者根据配置进行错误处理。本发明能够减少操作时多余的等待时间，提高NAND操作的整体效率。

技术领域

本发明涉及一种NAND Flash的操作检测方法，属于存储器技术领域。

背景技术

NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，广泛应用于SSD、U盘、闪存阵列等固态存储领域。NAND Flash的基本操作包括读取、写入和擦除，每种操作都需要消耗一定的内部时间，操作的结束标志为R/B信号线为高电平或者check status为ready。传统的操作检测方式是一直对读取、写入、擦写操作进行检测，根据结束标志判断操作是否完成。由于NAND Flash的读取、写入和擦除的耗时T_read<T_write<T_erase，另外对于不同的block和page，在不同的温度和PE情况下，T_read、T_write和T_erase的时间也不完全相同，因此传统的操作检查方式会造成较长的等待时间，影响NAND Flash操作的整体性能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种NAND Flash的操作检测方法，减少操作时多余的等待时间，提高NAND操作的整体效率。

为了解决所述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种NAND Flash的操作检测方法，包括以下步骤：S01)、根据操作类型、NAND Flash所处的温度、磨损次数确定每种操作对应的最大耗时T_MAX；S02)、根据操作类型确定每种操作对应的检测间隔时间T_check；S03)、根据最大耗时、检测间隔时间确定每种操作在一段时间内对应的最大检测次数N，S04)、初始化检查次数N，令N＝0，每隔T_check时间检测NAND Flash的状态，判断操作是否完成，并在每次检测时对检查次数N做加一操作，若操作已经完成则返回命令结束以及完成时的状态；若没有结束则按照检测间隔时间继续检测，当N大于N_MAXN时，则返回错误状态或者根据配置进行错误处理。

进一步的，读取操作在一段时间内对应的最大检测次数N_read＝T_MAX-read/T_r-check，T_MAX-read是读取操作的最大耗时，T_r-check是读取操作的检测间隔时间，读取操作不区分温度和磨损次数情况，只记录一个最大耗时值即可。

进一步的，写入操作在一段时间内对应的最大检测次数N_write＝T_{MAX-pe-temp(write)}/T_pe-check，T_{MAX-pe-temp(write)}是写入操作的最大耗时，T_pe-check是写入操作的检测间隔时间，写入操作根据温度和磨损次数分区间统计最大耗时，磨损次数的记录区间为1000次PE，温度统计从40℃开始，40℃以下记录一次，然后每升高10℃为一次记录区间；需要记录内容为：PE在某个区间时，需要进行温度变换，统计每个温度区间的T_MAX。