[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910743565.1 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110581177A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 范成俊 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、结晶层、氧化层、源漏极金属层以及钝化层。通过在制备所述结晶层之后，并不移出所述掩膜板，所述掩膜板用以保护所述结晶层的上表面不发生氧化反应，接着在所述结晶层以及所述有源层的侧壁形成一氧化层，所述氧化层用以阻挡所述源漏极金属层与所述有源层接触，所述源漏极金属层只与所述结晶层接触，从而减小漏电电流的路径，达到减小漏电电流的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶层 源漏极金属层 氧化层 源层 漏电电流 阵列基板 掩膜板 减小 制备 栅极绝缘层 氧化反应 钝化层 上表面 侧壁 基板 移出 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n栅极，设于所述基板上；/n栅极绝缘层，设于所述栅极以及所述基板上；/n有源层，设于所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧；/n结晶层，设于所述有源层远离所述栅极绝缘层的一侧；/n氧化层，设于所述有源层以及所述结晶层的两侧；/n源漏极金属层，设于所述栅极以及所述结晶层上，且所述源漏极金属层覆盖所述氧化层，所述源漏极金属层具有一通孔，所述通孔贯穿所述源漏极金属层、所述结晶层以及部分所述有源层；/n钝化层，设于所述源漏极金属层与所述栅极上并设于所述通孔中。/n
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