[发明专利]一种TFT阵列基板及其显示面板有效
| 申请号: | 201910737838.1 | 申请日: | 2019-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN110581140B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
| 发明(设计)人: | 明星;曹中涛 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种TFT阵列基板,其定义有显示区和弯折区。其包括衬底层和设置于其上的功能层,其中所述功能层中包括有绝缘层和金属层。其中所述弯折区的所述功能层中通过开深孔设置有填充层,所述金属层在所述弯折区包括第一金属层、第二金属层和第二栅极层。其中所述第一金属层设置在所述填充层的侧端部上,并通过过孔与所述第二栅极层相接;其中所述第二金属层设置在位于所述第一金属层的外侧位置的所述绝缘层上。本发明提供了一种TFT阵列基板,其弯折区采用新的金属层走线结构设计,避免了其第一金属层在所述弯折区的走线经过OILD填充层的两孔开口之间,从而有效的降低其后续因过度蚀刻而断线的风险。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 tft 阵列 及其 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其定义有显示区和弯折区;其包括衬底层和设置于其上的功能层,其中所述功能层中包括有绝缘层和金属层;其特征在于,其中所述弯折区的所述功能层中通过开深孔设置有填充层,其中所述填充层还在其上部开口的侧端部向外延伸出所述深孔边缘的侧端部;/n其中所述金属层在所述弯折区包括第一金属层、第二金属层和第二栅极层,其中所述第二栅极层、第一金属层和第二金属层之间设置有所述功能层中的绝缘层;/n其中所述第一金属层设置在所述填充层的侧端部上,并通过过孔与所述第二栅极层相接;其中所述第二金属层设置在位于所述第一金属层的外侧位置的所述绝缘层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





