[发明专利]一种TFT阵列基板及其显示面板有效
| 申请号: | 201910737838.1 | 申请日: | 2019-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN110581140B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
| 发明(设计)人: | 明星;曹中涛 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 tft 阵列 及其 显示 面板 | ||
1.一种TFT阵列基板,其定义有显示区和弯折区;其包括衬底层和设置于其上的功能层,其中所述功能层中包括有绝缘层和金属层;其特征在于,其中所述弯折区的所述功能层中通过开深孔设置有填充层,其中所述填充层还在其上部开口的侧端部向外延伸出所述深孔边缘的侧端部;
其中所述金属层在所述弯折区包括第一金属层、第二金属层和第二栅极层,其中所述第二栅极层、第一金属层和第二金属层之间设置有所述功能层中的绝缘层;
其中所述第一金属层设置在所述填充层的侧端部上,并通过过孔与所述第二栅极层相接;其中所述第二金属层设置在位于所述第一金属层的外侧位置的所述绝缘层上;
其中所述金属层在所述弯折区还包括第一栅极层;
其中所述第二金属层通过过孔与所述第一栅极层连接。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板;其特征在于,其中所述第一栅极层和第二栅极层之间设置有栅极绝缘层,所述第二栅极层与所述第一金属层之间设置的所述绝缘层为层间电介质层。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板;其特征在于,其中所述第一金属层和第二金属层之间设置的绝缘层为第一平坦层,其中所述填充层侧端部下方覆盖所述层间电介质层的局部。
4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板;其特征在于,其中所述第二金属层和所述第一栅极层之间还设置有转接金属层,所述第二金属层通过过孔与所述转接金属层相接,所述转接金属层在通过过孔与所述第一栅极层连接。
5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板;其特征在于,其中所述弯折区的功能层还包括有缓冲层,所述缓冲层设置在所述衬底层上,其中所述填充层向下贯穿所述缓冲层进入到所述衬底层中。
6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板;其特征在于,其中所述衬底层包括PI层和设置于其上的阻隔层,其中所述填充层的底部穿过所述阻隔层直到所述PI层的表面。
7.根据权利要求1所述的TFT阵列基板;其特征在于,其中在所述弯折区的所述第一金属层和第二金属层之间的绝缘层为第一平坦层,所述第二金属层上还覆盖有第二平坦层。
8.一种显示面板;其特征在于,其包括根据权利要求1所述的TFT阵列基板。
9.一种根据权利要求8所述的显示面板;其特征在于,其中所述显示面板为柔性AMOLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





