[发明专利]一种TFT阵列基板及其显示面板

说明书

本发明提供了一种TFT阵列基板，其定义有显示区和弯折区。其包括衬底层和设置于其上的功能层，其中所述功能层中包括有绝缘层和金属层。其中所述弯折区的所述功能层中通过开深孔设置有填充层，所述金属层在所述弯折区包括第一金属层、第二金属层和第二栅极层。其中所述第一金属层设置在所述填充层的侧端部上，并通过过孔与所述第二栅极层相接；其中所述第二金属层设置在位于所述第一金属层的外侧位置的所述绝缘层上。本发明提供了一种TFT阵列基板，其弯折区采用新的金属层走线结构设计，避免了其第一金属层在所述弯折区的走线经过OILD填充层的两孔开口之间，从而有效的降低其后续因过度蚀刻而断线的风险。

技术领域

本发明涉及平面显示技术领域，尤其是，其中的一种TFT阵列基板及其显示面板。

背景技术

已知，随着显示技术的不断发展，平面显示装置已逐渐成为市场上的主流显示装置。这其中，业界开发出的OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示面板，由于其重量轻、自发光、广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛，逐渐被业界认为是代替液晶显示面板的下一代主流显示面板。

进一步的，OLED显示装置除了上述优点外，还具有一项尤为重要的特性，即可弯折性。这一可弯折特性使得其在便携性上获得了绝对的优势，因此，也就成为业界研究和开发的重点。

以其中的柔性折叠AMOLED为例，其采用的LTPS工艺流程一般包括10-15道工艺，比刚性的AMOLED多出2-3道Mask工艺步骤。这其中多出的工艺步骤主要是将周边非显示的弯折区里的应力较差、柔韧性不好的无机薄膜功能层用光刻和Dry工艺刻蚀形成上下相通的两个深孔(DH1、DH2)，然后在所述深孔内填充上柔韧性较好的有机PI材料并形成填充层(OILD)，从而有利于其弯折特性。

如图5、6所示，其图示了一种现有的柔性AMOLED采用的TFT阵列基板的结构示意图。如图5、6中所示，所述TFT阵列基板定义有显示区100’和弯折区110’。其中在所述显示区100’，其设置有通常的TFT器件功能层，而在所述弯折区110’，则是设置有分别用作数据走线(Data Line)和Vdd走线(Vdd Line)的金属层，其中数据走线一般是采用所述显示区用作源漏极的第一金属层(SD1)104’来实施，而Vdd走线一般是采用第二金属层(SD2)106’来实施。

根据业界常用的LTPS工艺流程，请参阅图5～8所示，在显示面板的外围弯折区110’中，由填充的有机PI材料形成的所述填充层102’会在填充的上部第一深孔(DH1)的孔边缘处覆盖一部分区域并形成对称设置的侧端部，即如图5和7中的130’位置处。为避免所述第一金属层(SD1)104’在所述填充层102’的边缘位置残留而导致short，业界目前采用的方法是将用作所述弯折区110’的数据走线的第一金属层104’转接处设计在所述OILD层102’侧端部的覆盖区域上，只在转接处开一个OILD孔。

但是，这种结构设计存在一个问题，即如图7所示的框线区域130’位置处，由于两侧的OILD层102’均设置了开口，导致此处中间高出，一方面会使得弯折应力难以释放，另一方面则是在后续所述第一金属层(SD1)104’进行蚀刻时，由于该处位置高出，所述第一金属层104’有过刻断线的风险，具体位置可参看图8中画圈部分150’处。

因此，确有必要来开发一种新型的TFT阵列基板，来克服现有技术中的缺陷。

发明内容

本发明的一个方面是提供一种TFT阵列基板，其弯折区采用新的金属层走线结构设计，避免了其第一金属层在所述弯折区的走线经过OILD填充层的两孔开口之间，从而有效的降低其后续因过度蚀刻而断线的风险。

本发明采用的技术方案如下：