[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910733675.X | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN111653569B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 那波恭介;藤井谦一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/20;H10B43/20;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置中，积层体具有：第1阶梯部，以导电层中的第1导电层群向作为远离柱的方向的第2方向下降的方式成为阶梯状，且由在与第1方向及第2方向交叉的第3方向延伸的1个阶台面与1个级差面形成1级量的阶梯，具有多个阶梯；第2阶梯部，以导电层中的第2导电层群向第2方向下降的方式成为阶梯状，且由在第3方向延伸的1个阶台面与1个级差面形成1级量的阶梯，具有多个阶梯；以及第3阶梯部，与第1阶梯部对向地设置，以导电层中的第3导电层群向第2方向上升的方式成为阶梯状，且由在第3方向延伸的1个阶台面与1个级差面形成1级量的阶梯，具有多个阶梯；从第1阶梯部的最上级的级差面的上端部到与该上端部在第3方向上处于同一位置的最下级的级差面的上端部为止的距离，大于从第3阶梯部的最上级的级差面的上端部到与该上端部在第3方向上处于同一位置的最下级的级差面的上端部为止的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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