[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备多个导电层交替地介隔绝缘层积层在第1方向而成的积层体，

所述积层体具有：

多个柱，以在所述积层体的所述第1方向延伸的方式配置；

第1阶梯部，以所述导电层中的第1导电层群向作为远离所述柱的方向的第2方向下降的方式成为阶梯状，且由在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸的1个阶台面与1个级差面形成1级量的阶梯，具有多个阶梯；

第2阶梯部，以所述导电层中的第2导电层群向所述第2方向下降的方式成为阶梯状，且由在所述第3方向延伸的1个阶台面与1个级差面形成1级量的阶梯，具有多个阶梯；以及

第3阶梯部，与所述第1阶梯部对向地设置，以所述导电层中的第3导电层群向所述第2方向上升的方式成为阶梯状，且由在所述第3方向延伸的1个阶台面与1个级差面形成1级量的阶梯，具有多个阶梯；

所述第2导电层群位于比所述第1导电层群在所述第1方向上靠下方，所述第3导电层群位于在所述第1方向上与所述第1导电层群相同位置，

所述第1阶梯部的所述第1导电层群中所包含的导电层的层数与所述第3阶梯部的所述第3导电层群中所包含的导电层的层数相等，

从所述第1阶梯部的最上级的级差面的上端部到与该上端部在所述第3方向上处于同一位置的最下级的级差面的上端部为止的距离，大于从所述第3阶梯部的最上级的级差面的上端部到与该上端部在所述第3方向上处于同一位置的最下级的级差面的上端部为止的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述多个柱设置在存储器部，所述存储器部具有设置在与所述多个导电层的各个交叉部的多个存储单元，

从接近所述存储器部的侧起依次配置着所述第1阶梯部、所述第3阶梯部、及所述第2阶梯部。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

构成所述第3阶梯部的1级量的所述导电层的层数，多于构成所述第1阶梯部的1级量的所述导电层的层数。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

构成所述第1阶梯部及所述第2阶梯部的1级的所述导电层的层数为1层。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第3阶梯部中的阶梯的个数少于所述第1阶梯部中的阶梯的个数。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

在所述多个导电层与所述多个柱的各个交叉部设置着多个存储单元，

构成所述第1阶梯部及所述第2阶梯部的所述导电层与所述存储单元连接。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

构成所述第3阶梯部的所述导电层成为电浮游的状态。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

在所述第1阶梯部的各级及所述第2阶梯部的各级，配置着将构成各级的所述导电层与上层配线连接的接点。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具有：

连接部，将所述第1阶梯部的最下层的导电层的正下方的导电层与所述第2阶梯部的最上层的导电层的正上方的导电层相互连接，且设置在所述第1阶梯部与所述第3阶梯部之间。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1阶梯部的第1阶梯的阶台面的宽度与设置在所述第3阶梯部中的与所述第1阶梯同一高度的第2阶梯的阶台面的宽度相等。